LMBR120ET1G 产品概述

一、产品简介

LMBR120ET1G 是一款小型肖特基整流二极管，由东沃（DOWO）提供，封装为 SOD-323HE。该器件针对低压快速整流与保护场合设计，具有较低的正向压降和较高的冲击能力，适合便携式电源、开关电源、功率管理及防反接保护等应用。

二、主要电气参数

• 正向压降 Vf：约 550 mV @ IF = 1 A
• 最大反向耐压 Vr：20 V
• 直流整流电流 IF：1 A（平均）
• 反向电流 Ir：500 µA @ Vr = 20 V（需注意随温度上升显著增加）
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：25 A（单次冲击）
• 封装：SOD-323HE（超小型表面贴装）

三、器件特性与优势

• 低正向压降：在 1 A 工作点上约 0.55 V，降低整流损耗，提高转换效率，特别适合对效率敏感的低压电源。
• 小型封装：SOD-323HE 体积小、占板面积低，适合密集布板和便携设备。
• 耐冲击能力：25 A 的单次峰值浪涌能力，能承受短时启动或故障电流冲击。
• 适用于低压快速整流与保护电路：反向耐压 20 V，适合 5 V、12 V 等低压系统的整流与防反接保护。

四、使用注意事项

• 反向漏电：在 Vr=20 V 条件下 Ir 达到 500 µA，属于相对较高的漏电水平。在对待机功耗或高温下的漏电敏感应用中需注意；温度升高会使反向电流进一步增大。
• 电流散热与降额：封装体积小，热阻较高，连续 1 A 工作时需注意 PCB 铜箔散热和周边布局。建议根据实际环境对额定电流进行适当降额，并通过加大铜箔或增加散热路径来改善温升。
• 焊接工艺：SOD-323HE 为常见 SMD 封装，适用于标准回流焊工艺。建议遵循制造商给出的回流温度曲线与抗潮湿等级（MSL）要求，以避免焊接或储存损伤。
• 冲击耐受：虽有 25 A 冲击能力，但不宜作为长期承受冲击电流的解决方案；若系统存在频繁大浪涌，应选用更高规格或增加浪涌抑制措施。

五、典型应用场景

• 开关电源次级整流与续流二极管（低压侧）
• USB / 手机 / 平板等便携设备的电源管理与反接保护
• 低压电源轨的快速整流与钳位电路
• 工控、通信设备中低压保护电路

六、替代与选型建议

在选型时若需更高反向耐压或更低漏电，可考虑更高 Vr（如 40 V）或低漏电的肖特基型号；若板面空间允许，可选择封装更大、热性能更好的封装以提高连续电流能力。最终器件选择应以系统最大电压、持续电流、允许的温升与漏电容忍度为准。

七、总结

LMBR120ET1G（SOD-323HE，20 V / 1 A）是一款适用于低压快速整流与保护的小型肖特基二极管，具有低 Vf 与较好的浪涌承受能力，适合体积受限且对效率有要求的应用。使用时需关注反向漏电与热管理，合理布板与降额可以保证长期稳定运行。若需更严格的漏电或更高的耐压/散热性能，请按照系统需求选用替代型号或更大封装。