NTD3535I16（国星光电）产品概述

一、产品简介

NTD3535I16 是国星光电基于 SMD3535-3P 封装的近红外（NIR）发光二极管，工作波长覆盖 925nm～955nm，典型应用为夜视照明、红外通信、接近/距离传感及生物识别补光等场景。该器件在宽视角（120°）下提供较高辐射强度（65 mW/sr），适合需要大范围均匀照明或漫射光源的系统设计。

二、主要电气与光学参数

• 波长（λ）：925 nm ～ 955 nm（以 ~940 nm 位置为主，光谱半峰宽约 50 nm，属于宽谱近红外）
• 正向压降（Vf）：1.4 V ～ 2.0 V（随电流与温度变化）
• 正向电流（If）：标称 350 mA（通常为脉冲或极限值，详见厂方脉冲/连续额定）
• 耗散功率（Pd）：110 mW（器件最大耗散，需结合热设计）
• 直流反向耐压（Vr）：10 V（勿在反向条件下长时间工作）
• 辐射强度：65 mW/sr（典型值，测试电流未注明时应以数据表测试条件为准）
• 视角：120°（近似朗伯分布，适合漫射光照）
• 工作温度：-40 ℃ ～ +100 ℃
• 光谱半波宽：50 nm

备注：给出的 350 mA 与 110 mW 耗散之间存在表面上的矛盾：若按 Vf = 1.42.0 V 与 350 mA 连续工作，则器件功耗约 0.490.70 W，远超 Pd=110 mW。因此 350 mA 更可能为短脉冲或绝对最大值，设计中必须以 Pd 与热阻为依据进行连续电流限制，或向供应商确认脉冲额定条件。

三、热管理与驱动建议

• 按 Pd 限制连续电流：基于 Pd=110 mW，连续 If 的理论上限约为 Pd / Vf，即约 55 mA～79 mA（随 Vf 取值）。为保证可靠性，推荐系统连续电流远低于该理论上限，或采用脉冲驱动并控制占空比与脉宽。
• 脉冲驱动：若需高亮度短脉冲（接近 350 mA），必须控制脉冲宽度、占空比并进行热仿真验证；通常需低占空比（例如 <10%）及间歇冷却时间，具体参数以厂方脉冲数据为准。
• 驱动方式：优先使用恒流驱动器或恒流-恒温联合控制，避免直接恒压驱动。低成本方案可串联限流电阻用于小电流场景。对于 PWM 调光，应保证开关频率高于可见频闪阈值且考虑上升/下降时间对光谱与脉冲能量的影响。
• PCB 热设计：SMD3535-3P 封装建议在 PCB 下方和焊盘处提供足够铜箔散热面积（多层板通过过孔连至内层/底层散热铜），并减小热阻以维持结温在安全范围内。
• 反向保护：因 Vr=10 V，建议在系统中加入反向保护二极管或限压措施，防止静电或误接导致反向击穿。

四、典型应用场景

• 移动设备与安防中的夜视/无光环境补光（940 nm 波段对硅检测器有良好响应且不可见）
• 红外遥控与短距离通信（需配合接收器滤波与调制方案）
• 接近传感、手势识别及 ToF/结构光辅助照明（配合光学透镜与扩散件）
• 生物识别（虹膜/眼部近红外照明，设计时注意人眼安全与功率限制）

五、封装与可制造性

• 封装：SMD3535-3P，适合标准表面贴装生产线，兼容回流焊工艺。
• 焊接工艺：遵循国星光电提供的回流焊曲线与湿敏等级（MSL）要求；通常 SMD 封装回流峰值温度不超过 260 ℃，具体请参照厂家资料。
• 贴装注意：避免在高温/潮湿条件下长时间暴露，必要时进行烘烤处理以防吸湿发泡。

六、可靠性与注意事项

• 环境适应：器件额定工作温度 -40 ℃～+100 ℃，应用设计时需考虑工作环境对 Vf、光输出的影响并进行温度补偿。
• ESD/过压保护：增加静电防护与浪涌抑制，尤其是在高电流脉冲场景下。
• 光学安全：940 nm 波段肉眼不可见但对视网膜仍有风险，系统设计与测试应评估 IEC/EN 光学安全标准要求，必要时加入限流与遮挡措施。

七、选型建议与对比

• 若系统需要连续高电流输出且高亮度为首要目标，应确认厂方提供的连续 If 额定与热阻参数，或选择标注较高 Pd 与更大散热面积的封装。
• 若以低功耗、长寿命与均匀照明为目标，可在 20~50 mA 区间工作并使用多颗并联进行光均匀布局。
• 在不确定脉冲极限时，与供应商确认脉冲宽度、占空比及测试条件，避免在实际应用中超限操作导致器件过早失效。

总结：NTD3535I16 提供在 925–955 nm 范围内较宽谱的近红外辐射与 120° 大视角，适合漫射式近红外照明场景。但设计时必须重视热管理与驱动策略，严格按照 Pd 与数据表脉冲/连续额定来确定工作点，以保证性能与寿命。若需详细电气/热仿真数据或封装尺寸与回流曲线，建议结合厂方完整数据手册做最终设计。