ULN2003AM/TR 产品概述（华冠 HGSEMI）

本文档面向电子设计与采购工程师，介绍华冠（HGSEMI）ULN2003AM/TR 七路达林顿晶体管阵列的主要特性、典型应用和设计注意事项，便于快速判定该器件在系统中的可行性与使用方法。

一、产品简介

ULN2003AM/TR 为高集成度七路达林顿晶体管阵列，采用 SOP-16 封装（适配贴片生产线的 TR — Tape & Reel 卷带包装）。器件内部包含七组 NPN 达林顿对，每路集成基极限流电阻与共用的反向续流二极管连接点（COM），便于直接驱动继电器、电磁阀、步进电机线圈、LED 阵列等感性或阻性负载。

主要基础参数（典型/最大值）：

• 通道数：7 路
• 集电极-发射极击穿电压 Vceo：50 V
• 单通道最大集电极电流 Ic：500 mA
• 最大输入电压 VI：30 V
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 集电极漏电流 Ice（待机泄漏）：约 20 μA
• 输入电流（ON）典型：0.93 mA
• 输入电流（OFF）典型：100 μA
• 封装：SOP-16（ULN2003AM/TR，TR 表示卷带包装）
• 品牌：HGSEMI（华冠）

二、内部结构与引脚说明

器件为七组达林顿对的集成，内部为每一路输入端串联基极电阻，并在输出端配置二极管连接至 COM 引脚，用于吸收感性负载的反向电压。标准引脚功能分配（与常见 ULN2003 兼容）：

• 引脚17：IN1IN7（输入）
• 引脚8：GND（共地）
• 引脚9：COM（续流二极管公共端，通常接至负载供电正极）
• 引脚1016：OUT7OUT1（输出，注意输出与输入的对应关系）

在设计时，感性负载（继电器、线圈）应将 COM 接到正供电以启用内部续流二极管，避免尖峰电压损害器件。

三、主要特性与优势

• 七路高密度输出，节省 PCB 面积，适合多通道驱动场景。
• 高电压耐受：50 V 的 Vceo 可直接驱动较高电压的负载。
• 每路可承受最大 500 mA，适用于中小功率继电器和小电机绕组驱动（需关注功耗与封装散热）。
• 内置基极限流电阻，逻辑侧驱动电流低（典型 ON 输入电流 0.93 mA），便于与 MCU、TTL/CMOS 直接接口。
• 内置续流二极管（COM），简化外部器件，利于驱动感性负载。
• 工作温度宽（-40 ℃ ~ +85 ℃），适用工业级环境。

四、典型应用场景

• 继电器驱动板（工业控制与自动化）
• 步进电机驱动（与驱动器配合，用于小型一体化模块）
• 灯阵、指示灯与 LED 驱动（需注意总电流与发热）
• 低速马达、溶液泵、电磁阀等中小功率执行器控制
• 单片机/逻辑电路的电平放大、低侧开关

五、设计与使用建议

• COM 引脚：在驱动感性负载（线圈、继电器）时，务必将 COM 连接到负载的正极/电源线上，使内部续流二极管导通回流，抑制反向尖峰。
• 散热与功率限制：单路 500 mA 为器件极限，请根据实际工作电流做热功率计算并留有裕量。多通道同时工作时，需关注封装的总功耗、PCB 铜箔散热面积及环境温度，必要时采用散热铜箔或降低工作电流。
• 输入驱动：典型输入开启电流约 0.93 mA，可直接由 MCU GPIO 驱动。关断时输入漏电约 100 μA，应在系统静态功耗预算中考虑。
• 漏电流：集电极漏电约 20 μA，作为关断泄漏参考，适用于对泄漏敏感的低电流场景时需留意。
• 保护与滤波：为提高可靠性，关键应用建议在继电器等负载端加缓冲电容或 RC 抑制网络，用于滤除高速开关噪声；若负载电感或电源质量较差，可在供电侧加入合适的去耦电容与抑制元件。

六、封装与采购信息

• 封装形式：SOP-16 表面贴装，适配自动化贴装及回流焊工艺。
• 包装方式：TR 表示 Tape & Reel，便于电子制造线直接取料。
• 选型提示：型号 ULN2003AM/TR（华冠 HGSEMI），如需样片或批量，请与供应商确认完整的器件规格书（datasheet）、可靠性测试报告与最小采购量。

结语：ULN2003AM/TR 提供了成熟、可靠的七路低侧开关解决方案，适合多种中小功率驱动场景。设计时需结合实际电流、功耗与散热条件进行余量评估，正确使用 COM 续流通道以保护器件并延长系统寿命。若需针对此器件的电路例程或热设计计算，可提供更具体的负载参数以便给出针对性建议。