WMSIC Электронные компоненты

JSMSEMI IRF640NPBF-JSM IRF640NPBF

МодельIRF640NPBF-JSM
КорпусTO-220
БрендJSMSEMI
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
JSMSEMI IRF640NPBF-JSM IRF640NPBF
Тип
JSMSEMI
Минимальная упаковка
50 管

Технические параметры

Упаковка
Туба
Бренд
JSMSEMI
Модель
IRF640NPBF-JSM
Шаг
1
Корпус
TO-220
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
2g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0229961350
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
104W
Минимальная упаковочная единица
Туба
Минимальное количество в упаковке
50
Напряжение сток-исток (Vdss)
200V
Входная емкость (Ciss)
1.2nF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

IRF640NPBF-JSM — силовой N-канальный MOSFET с индуцированным каналом, рассчитанный на среднее и высокое напряжение. Корпус TO-220. Максимальное напряжение сток—исток составляет 200V; рабочий температурный диапазон — -55℃ до +150℃.

Основные электрические характеристики
Напряжение сток—исток (Vdss): 200V
Непрерывный ток стока (Id): 18A при надлежащем охлаждении
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 150mΩ при VGS=10V
Пороговое напряжение (VGS(th)): 4V при 250µA
Полный заряд затвора (Qg): 38nC при 10V
Входная/обратная емкость передачи: Ciss = 1.2nF, Crss = 70pF при 25V
Рассеиваемая мощность (Pd): 104W при типовых условиях

Рекомендуется использовать драйвер затвора с достаточной токовой способностью или резистор затвора с низким сопротивлением. В качестве ориентира для резистора указано 10Ω~47Ω с учетом EMI и выбросов напряжения. Напряжение управления затвором 10V обеспечивает значение RDS(on), близкое к указанному. При высокочастотном переключении учитывайте пиковый ток затвора и мощность драйвера.

Фактический допустимый ток зависит от теплового сопротивления, радиатора и температуры окружающей среды. Металлическая задняя пластина TO-220 электрически соединена со стоком и может использоваться для отвода тепла. При больших токах и непрерывной нагрузке предусмотрите достаточное охлаждение; для повышения надежности поддерживайте температуру перехода существенно ниже +150℃.

Области применения: импульсные источники питания, усилители мощности и драйверы двигателей или реле, управление осветительными и индуктивными нагрузками, преобразователи DC-DC, высоковольтные переключатели с цепями подавления импульсов.

При напряжении управления 5V или ниже проверьте потери проводимости. На частотах выше 100kHz переключательные потери могут быть значительными. Для защиты от переходных перенапряжений рекомендуется использовать подходящую цепь ограничения или демпфирования, например TVS либо RC snubber. Для снижения паразитной индуктивности и EMI сокращайте путь между драйвером и затвором; соединение истока с землей выполняйте с низким сопротивлением и индуктивностью.

Расположение выводов TO-220 при взгляде на лицевую сторону со стороны выводов: 1-Gate, 2-Drain, 3-Source. Металлическая пластина соединена с выводом 2 (Drain).

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.