APQM2HPN4R7MGCL 4,7 мкГн ±20 % 160 мА SMD Силовая индуктивность 1008
- Модель
- APQM2HPN4R7MGCL
- Корпус
- 1008
Категория
Силовые индуктивности
Просмотрите доступные компоненты, уточните модель и корпус и отправьте запрос цены команде WMSIC.
118,920 товаров
11 подкатегорий
Ветка категории
Выберите нужную подкатегорию
Катушки индуктивности / Дроссели / Трансформаторы
165,569 товаров
→
Трансформаторы тока
1,388 товаров
→
Силовые индуктивности
118,920 товаров
→
Регулируемые индуктивности
285 товаров
→
Катушки беспроводной зарядки
259 товаров
→
Аксессуары для индуктивностей и трансформаторов
746 товаров
→
Силовые трансформаторы
6,520 товаров
→
Трансформаторы для сетевых интерфейсов
2,570 товаров
→
Импульсные трансформаторы
699 товаров
→
Цветовые и выводные индуктивности
6,000 товаров
→
Индуктивности для поверхностного монтажа
27,669 товаров
→
Звуковые трансформаторы
513 товаров
→
Каталог изображений корпусов
Доступные товары
APQM2HPN4R7MG0L 4,7 мкГн ±20 % 160 мА SMD Силовая индуктивность 1008
- Модель
- APQM2HPN4R7MG0L
- Корпус
- 1008
APQM2HPN3R3MG0L 3,3 мкГн ±20 % 200 мА SMD Силовая индуктивность 1008
- Модель
- APQM2HPN3R3MG0L
- Корпус
- 1008
APMLP2520S4R7MT0S1 4,7 мкГн ±20 % 200 мА SMD Чип-индуктивность 2520 1008
- Модель
- APMLP2520S4R7MT0S1
- Корпус
- 1008
APQM2HPN3R3MGCL 3,3 мкГн ±20 % 200 мА SMD Силовая индуктивность 1008
- Модель
- APQM2HPN3R3MGCL
- Корпус
- 1008
APH252012-1R5MS 1,5 мкГн ±20 % 3,3 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.2 мм
- Модель
- APH252012-1R5MS
- Корпус
- 1008
APMLP2520S4R7ST0S1 4,7 мкГн ±20 % 350 мА SMD Чип-индуктивность 2520 1008
- Модель
- APMLP2520S4R7ST0S1
- Корпус
- 1008
ANR252012T100M 10 мкГн ±20 % 0,88 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.2 мм 1008
- Модель
- ANR252012T100M
- Корпус
- 1008
APH252012CR15MP01 0,15 мкГн ±20 % 13 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.2 мм 1008
- Модель
- APH252012CR15MP01
- Корпус
- 1008
APH252010-1R0MS 1 мкГн ±20 % 3,6 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.0 мм
- Модель
- APH252010-1R0MS
- Корпус
- 1008
TNR252012S-1R0MTF 1 мкГн ±20 % 2,9 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.2 мм
- Модель
- TNR252012S-1R0MTF
- Корпус
- 1008
APH252010T1R0M 1 мкГн ±20 % 4,8 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.0 мм 1008
- Модель
- APH252010T1R0M
- Корпус
- 1008
APH252010T1R5M 1,5 мкГн ±20 % 3,9 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.0 мм 1008
- Модель
- APH252010T1R5M
- Корпус
- 1008
APLH2520-4R7MSTD9 4,7 мкГн ±20 % SMD Чип-индуктивность 2520 1008
- Модель
- APLH2520-4R7MSTD9
- Корпус
- 1008
APH252012T1R0M 1 мкГн ±20 % 4,3 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.2 мм 1008
- Модель
- APH252012T1R0M
- Корпус
- 1008
APMLP2520S1R0MT0S1 1 мкГн ±20 % 900 мА SMD Чип-индуктивность 2520 1008
- Модель
- APMLP2520S1R0MT0S1
- Корпус
- 1008
APH252012-3R3MS 3,3 мкГн ±20 % 2,2 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.2 мм
- Модель
- APH252012-3R3MS
- Корпус
- 1008
APH252010CR47MP01 0,47 мкГн ±20 % 7,2 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.0 мм 1008
- Модель
- APH252010CR47MP01
- Корпус
- 1008
APH252012C1R0MP02 1 мкГн ±20 % 6,5 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.2 мм 1008
- Модель
- APH252012C1R0MP02
- Корпус
- 1008
ANR252010T220M 22 мкГн ±20 % 0,48 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.0 мм 1008
- Модель
- ANR252010T220M
- Корпус
- 1008
TNR252012S-R68MTF 680 нГн ±20 % 3,68 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.2 мм
- Модель
- TNR252012S-R68MTF
- Корпус
- 1008
APH252010TR33M 0,33 мкГн ±20 % 7,2 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.0 мм 1008
- Модель
- APH252010TR33M
- Корпус
- 1008
TNR252010S-100MTF 10 мкГн ±20 % 0,78 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.0 мм
- Модель
- TNR252010S-100MTF
- Корпус
- 1008
TNR252012S-6R8MTF 6,8 мкГн ±20 % 1,09 А SMD Силовая индуктивность 2.5×2.0×1.2 мм
- Модель
- TNR252012S-6R8MTF
- Корпус
- 1008