Многослойный индуктор 2,2 мкГн+/- 30% 150 мА LQM21FN2R2N00D 0805
- Модель
- LQM21FN2R2N00D
- Корпус
- 0805
Поиск товаров
SMD-индуктивность
Введите минимум два символа. Результаты разбиты на страницы.
Четырехмерный индуктор 4,7 мкФ +/- 30% 80 мА LQM21FN4R7N00L 0805
- Модель
- LQM21FN4R7N00L
- Корпус
- 0805
Многослойная индуктивность 4.7 мкГн ±10% LQM21NN4R7K10L 0805
- Модель
- LQM21NN4R7K10L
- Корпус
- 0805
Многослойная индуктивность 100нГн ±10% 250мА 0805 LQM21NNR10K10D
- Модель
- LQM21NNR10K10D
- Корпус
- 0805
Многослойная индуктивность 680нГн ±10% LQM21NNR68K10D 0805
- Модель
- LQM21NNR68K10D
- Корпус
- 0805
Многослойный силовой индуктор 1мкГн+/- 20% LQM21PN1R0MC0D 0805
- Модель
- LQM21PN1R0MC0D
- Корпус
- 0805
Силовая индуктивность 2.2мкГн ±20% 1А LQM2HPN2R2MJ0L 1008
- Модель
- LQM2HPN2R2MJ0L
- Корпус
- 1008
47нГн +/- 5% индуктор поверхностного монтажа LQP03TN47NJ02D 0201
- Модель
- LQP03TN47NJ02D
- Корпус
- 0201
Катушка индуктивности SMD 0402 12 нГн ±2% LQP15MN12NG02D
- Модель
- LQP15MN12NG02D
- Корпус
- 0402
18нГн +/- 2% индуктор поверхностного монтажа LQP15MN18NG02D 0402
- Модель
- LQP15MN18NG02D
- Корпус
- 0402
Индуктивность SMD 1.1 нГн ±0.1 нГн LQP15MN1N1B02D 0402
- Модель
- LQP15MN1N1B02D
- Корпус
- 0402
Чип-индуктивность 5.1нГн ±0.1нГн 140мА 0402 LQP15MN5N1B02D
- Модель
- LQP15MN5N1B02D
- Корпус
- 0402
Индуктивность проволочная SMD 9.1нГн ±2% LQW15AN9N1G00D, 0402
- Модель
- LQW15AN9N1G00D
- Корпус
- 0402
Катушка индуктивности SMD 0201 4.6 нГн ±3% LQP03HQ4N6H02D
- Модель
- LQP03HQ4N6H02D
- Корпус
- 0201
SMD Силовая индуктивность 680 нГн ±20% DFE322512F-R68M=P2 1210
- Модель
- DFE322512F-R68M=P2
- Корпус
- 1210
Чип-индуктор проволочный FHW0805UC5N6JGT, 5.6 нГн, ±5%, 0805
- Модель
- FHW0805UC5N6JGT
- Корпус
- 0805
Индуктивность проволочная SMD 6.8нГн ±5% 0805 FHW0805UC6N8JGT
- Модель
- FHW0805UC6N8JGT
- Корпус
- 0805
Индуктивность высокочастотная MLK1005S1N5ST000 1.5нГн ±0.3нГн 0402
- Модель
- MLK1005S1N5ST000
- Корпус
- 0402
2.2уГн/мГн +/- 20% 2016 SMD Индуктор мощности VLS201610CX-2R2M 0806
- Модель
- VLS201610CX-2R2M
- Корпус
- 0806
Индуктивность 560 нГн ±5% 100мА MLF1608DR56JT000 0603
- Модель
- MLF1608DR56JT000
- Корпус
- 0603