Многослойная чип-индуктивность HQ1005C5N8ST 5.8 нГн 0402
- Модель
- HQ1005C5N8ST
- Корпус
- 0402
Поиск товаров
SMD-индуктивность
Введите минимум два символа. Результаты разбиты на страницы.
Многослойная чип-индуктивность 6.8 нГн ±5% HQ1005C6N8JT 0402
- Модель
- HQ1005C6N8JT
- Корпус
- 0402
Индуктивность многослойная HQ1005C7N5JT 7.5 нГн ±5% 0402
- Модель
- HQ1005C7N5JT
- Корпус
- 0402
Многослойная чип-индуктивность HQ1005C8N2JT 8.2 нГн ±5% 0402
- Модель
- HQ1005C8N2JT
- Корпус
- 0402
Многослойная чип-индуктивность 10 нГн ±5% HQ1005C10NJT 0402
- Модель
- HQ1005C10NJT
- Корпус
- 0402
Многослойная чип-индуктивность 11 нГн ±5% HQ1005C11NJT 0402
- Модель
- HQ1005C11NJT
- Корпус
- 0402
SDWL2012C22NJSTF Керамическая чип-индуктивность 22 нГн ±5% 0805
- Модель
- SDWL2012C22NJSTF
- Корпус
- 0805
Чип-индуктивность 82 нГн ±5% SDWL2012C82NJSTF 0805 SMD
- Модель
- SDWL2012C82NJSTF
- Корпус
- 0805
Чип-индуктивность 820 нГн ±5% SDWL2012CR82JSTF, 0805 SMD
- Модель
- SDWL2012CR82JSTF
- Корпус
- 0805
Катушка индуктивности SDWL2012C1R0JSTF 1 мкГн ±5% 0805
- Модель
- SDWL2012C1R0JSTF
- Корпус
- 0805
Чип-индуктивность BKW0805UCR10JGT, 100 нГн, ±5%, 0805 SMD
- Модель
- BKW0805UCR10JGT
- Корпус
- 0805
Чип-индуктивность 1.5 мкГн ±5% 160мА BKW0805UC1R5JGT 0805
- Модель
- BKW0805UC1R5JGT
- Корпус
- 0805
Чип-индуктивность 11 нГн ±5% HLCI2012H11NJT-LF 0805
- Модель
- HLCI2012H11NJT-LF
- Корпус
- 0805
Индуктивность чип (SMD) 1.5 нГн ±0.3 нГн JWCI2012H1N5ST, корпус 0805
- Модель
- JWCI2012H1N5ST
- Корпус
- 0805
Чип-индуктивность 2.9 нГн ±0.1 нГн JWCI2012H2N9ST 0805
- Модель
- JWCI2012H2N9ST
- Корпус
- 0805
9,1 нГн +/- 2% СМД многослойный керамический конденсатор индуктор HLCI2012H9N1JT-LF 0805
- Модель
- HLCI2012H9N1JT-LF
- Корпус
- 0805
7,5 нГн +/- 2% СМД многослойный керамический конденсатор индуктор HLCI2012H7N5JT-LF 0805
- Модель
- HLCI2012H7N5JT-LF
- Корпус
- 0805