1.2 кВ 150 А IGBT Нерезистентный элемент питания JNG75T120LZS1 TO264
- Модель
- JNG75T120LZS1
- Корпус
- TO264
Поиск товаров
IGBT / Модуль
Введите минимум два символа. Результаты разбиты на страницы.
1.2 кВ 150 А IGBT Нерезистентный элемент питания JNG75T120LCS1 TO-264
- Модель
- JNG75T120LCS1
- Корпус
- TO-264
1.2 кВ 150 А IGBT Нерезистентный элемент питания JNG75T120QCS2 TO-247-3LPlus
- Модель
- JNG75T120QCS2
- Корпус
- TO-247-3LPlus
650 В 50 А IGBT Нерезистентный элемент питания JNG25T65AI TO-3P
- Модель
- JNG25T65AI
- Корпус
- TO-3P
650 В 80 А IGBT Нерезистентный элемент питания JNG40T65AI TO-3P
- Модель
- JNG40T65AI
- Корпус
- TO-3P
1.2 кВ 30 А IGBT Нерезистентный электронный компонент JNG15N120AI TO-3P
- Модель
- JNG15N120AI
- Корпус
- TO-3P
1.2 кВ 45 А MOSFET отдельный устройство питания JNG25N120AI TO-3P
- Модель
- JNG25N120AI
- Корпус
- TO-3P
1.2 кВ 30 А IGBT Нерезистентный электронный компонент JNG15T120HIRU2 TO-247
- Модель
- JNG15T120HIRU2
- Корпус
- TO-247
1.2 кВ 50 А IGBT Нерезистентный элемент питания JNG25T120HIRU2 TO-247
- Модель
- JNG25T120HIRU2
- Корпус
- TO-247
1.2 кВ 80 А IGBT Нерезистентный элемент питания JNG40T120HIRU2 TO-247
- Модель
- JNG40T120HIRU2
- Корпус
- TO-247
1.2 кВ 100 А IGBT Нерезистентный элемент питания JNG50T120HIMU2 TO-247
- Модель
- JNG50T120HIMU2
- Корпус
- TO-247
1.2 кВ·мкФ 150 А IGBT полумостовой модуль GL150HF120T1SZ1
- Модель
- GL150HF120T1SZ1
- Корпус
- -
1.2 кВ 450 А IGBT полумостовой модуль GN450HF120T3SS1 SMD 106.4x61.4mm
- Модель
- GN450HF120T3SS1
- Корпус
- SMD,106.4x61.4mm
N-канальный выпрямительный MOSFET 650В 15А CMF15B65D TO-220F
- Модель
- CMF15B65D
- Корпус
- TO-220F
N-канальный выпрямительный MOSFET 650В 75А CMH75N65EH5 TO-247
- Модель
- CMH75N65EH5
- Корпус
- TO-247
N-канальный транзистор полевого эффекта 600В 30А H15T60 TO-220F
- Модель
- H15T60
- Корпус
- TO-220F
Транзистор полевого эффекта с канавкой затвора MBF15T65PEHTH TO-220F
- Модель
- MBF15T65PEHTH
- Корпус
- TO-220F