P-канальный MOSFET 30В 4.8А усилитель мощности FDC658AP-VB TSOP-6
- Модель
- FDC658AP-VB
- Корпус
- TSOP-6
Поиск товаров
MOSFET
Введите минимум два символа. Результаты разбиты на страницы.
P-канальный MOSFET 30В усилитель транзистора AM3407PE-VB SOT-23-6
- Модель
- AM3407PE-VB
- Корпус
- SOT-23-6
P-канальный MOSFET 30В 4.8А компонент управления питанием FDC638P-VB TSOP-6
- Модель
- FDC638P-VB
- Корпус
- TSOP-6
P-канальный MOSFET 30В 4.8А поверхностный монтаж полевой транзистор SI3457CDV-VB TSOP-6
- Модель
- SI3457CDV-VB
- Корпус
- TSOP-6
P-канальный MOSFET 30В 6А электрический транзистор полевого эффекта 2SJ562-VB SOT-89
- Модель
- 2SJ562-VB
- Корпус
- SOT-89
P-канальный MOSFET 35В 6.2А отдельный полупроводниковый элемент NDT454P-VB SOT-223
- Модель
- NDT454P-VB
- Корпус
- SOT-223
N-канальный MOSFET 20В 4А SOT-23 Полосный MOSFET 2SK3663-VB SC-70-3
- Модель
- 2SK3663-VB
- Корпус
- SC-70-3
N-канальный MOSFET 60В 0.3А SOT-323 Сигнальный переключатель или выключатель транзистор BSS138W-VB SC-70-3
- Модель
- BSS138W-VB
- Корпус
- SC-70-3
P-канальный MOSFET 20В 3.1А Транзистор высокой производительности DMG1013UW-7-VB SOT-323(SC-70)
- Модель
- DMG1013UW-7-VB
- Корпус
- SOT-323(SC-70)
Двойной P-канальный MOSFET 20В 1.8А Управление питанием FDG6316P-VB SC-70-6
- Модель
- FDG6316P-VB
- Корпус
- SC-70-6
P-канальный MOSFET 60В 35А Усилитель мощности транзистор IRF5305STR-VB TO-263(D2PAK)
- Модель
- IRF5305STR-VB
- Корпус
- TO-263(D2PAK)
N-канальный MOSFET 60В 4.5А драйвер затвора интегральной схемы транзистора логического уровня NIF9N05CL-VB SOT-223
- Модель
- NIF9N05CL-VB
- Корпус
- SOT-223
N-канальный MOSFET 60В транзистор полевого эффекта NTB60N06G-VB TO-263(D2PAK)
- Модель
- NTB60N06G-VB
- Корпус
- TO-263(D2PAK)
Сопутствующий N плюс P канал MOSFET 40В 50А усилитель мощности P2003ND5G-VB TO-252-4L
- Модель
- P2003ND5G-VB
- Корпус
- TO-252-4L
Двойной N-канальный MOSFET 25В 6.6А SOT-23 Транзистор питания CEG8205-VB TSSOP-8
- Модель
- CEG8205-VB
- Корпус
- TSSOP-8
N-канальный MOSFET 60В 4.5А высокой плотности FL014N-VB SOT-223-4
- Модель
- FL014N-VB
- Корпус
- SOT-223-4
N-канальный MOSFET 100В 100А высокопотенциальный фET SUM60N10-17-VB TO-263(D2PAK)
- Модель
- SUM60N10-17-VB
- Корпус
- TO-263(D2PAK)
N-канальный MOSFET 20В 4А SOT-23 переключатель мощности RTF025N03-VB SC-70-3
- Модель
- RTF025N03-VB
- Корпус
- SC-70-3
P-канальный MOSFET 20В 9А Усилитель управления питанием транзистор SI6475DQ-VB TSSOP-8
- Модель
- SI6475DQ-VB
- Корпус
- TSSOP-8
Сопоставимый MOSFET канала N плюс P 60В 35А силовой фET AOD603A-VB TO-252-4L
- Модель
- AOD603A-VB
- Корпус
- TO-252-4L
N-канальный MOSFET 60В 50А TO-263 Транзистор мощности IRFZ44ES-VB TO-263(D2PAK)
- Модель
- IRFZ44ES-VB
- Корпус
- TO-263(D2PAK)
N-канальный MOSFET 100В 45А усилитель мощности транзистор STB30NF10T4-VB TO-263(D2PAK)
- Модель
- STB30NF10T4-VB
- Корпус
- TO-263(D2PAK)
N-канальный MOSFET 60В компонент управления питанием AP9974GS-VB TO-263(D2PAK)
- Модель
- AP9974GS-VB
- Корпус
- TO-263(D2PAK)
Сопоставимый MOSFET канала N плюс P 30В 6.2А SOP-8 AP2852GO-VB TSSOP-8
- Модель
- AP2852GO-VB
- Корпус
- TSSOP-8