Двойной N-канальный MOSFET с усилением режимом 10.6В ALD110904SAL SOIC-8
- Модель
- ALD110904SAL
- Корпус
- SOIC-8
Поиск товаров
MOSFET
Введите минимум два символа. Результаты разбиты на страницы.
Двойной N-канальный MOSFET 30В 7.7А DMT3020LFDB-13 UDFN2020-6
- Модель
- DMT3020LFDB-13
- Корпус
- UDFN2020-6
Двойной N-канальный MOSFET 60В 24.5А DMTH6015LDVW-7 МощностьDI3333-8(TYPEUxD)
- Модель
- DMTH6015LDVW-7
- Корпус
- МощностьDI3333-8(TYPEUxD)
Двойной N-канальный MOSFET 20В 4.6А DMN2053UVT-13 TSOT-26
- Модель
- DMN2053UVT-13
- Корпус
- TSOT-26
Двойной N-канальный MOSFET 20В 10А MCCD2004-TP DFN2030-6
- Модель
- MCCD2004-TP
- Корпус
- DFN2030-6
Четырехканальный MOSFET с режимом усиления N-канала ALD110808SCL SOIC-16
- Модель
- ALD110808SCL
- Корпус
- SOIC-16
Мощный транзистор LDMOS BLF7G24LS-140,118 SOT-502B
- Модель
- BLF7G24LS-140,118
- Корпус
- SOT-502B
Радиофонный транзистор мощности BLF7G10LS-250,112 SOT-502B
- Модель
- BLF7G10LS-250,112
- Корпус
- SOT-502B
Четырехканальный MOSFET верхнего плеча 500В 46А APTM50HM75FT3G
- Модель
- APTM50HM75FT3G
- Корпус
- -
Двойной модуль IGBT двухканального типа 1.2 кВ в 180 А BSM180D12P3C007
- Модель
- BSM180D12P3C007
- Корпус
- -
Двойной N-канальный MOSFET 40В 60А/20А SQJ208EP-T1_GE3 SO-8
- Модель
- SQJ208EP-T1_GE3
- Корпус
- SO-8
Двойной N-канальный MOSFET 60В 33А DMNH6035SPDWQ-13 МощностьDI5060-8
- Модель
- DMNH6035SPDWQ-13
- Корпус
- МощностьDI5060-8
LDMOS Представитель транзистора мощности ART2K0FEU SOT-539A
- Модель
- ART2K0FEU
- Корпус
- SOT-539A
N-канальный SiC MOSFET 750В 56А SCT4026DRC15 TO-247-4L
- Модель
- SCT4026DRC15
- Корпус
- TO-247-4L
N-канальный MOSFET 650 В 60 А IXFT60N65X2HV TO-268-3
- Модель
- IXFT60N65X2HV
- Корпус
- TO-268-3