Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Available for RFQ
Технические данные
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
AONR21321 Обзор продукта
1. Введение
AONR21321 — высокоэффективный полевой транзистор (MOSFET) от AOS (Advanced Semiconductor), с мощной токовой и вольтовой способностью. На основе P-канальной технологии, подходит для различных применений управления энергией. Корпус DFN-8(3x3) удобен для высокоплотного дизайна. Номинальная мощность 4.1W, максимальная 24W, рабочее напряжение 30V, номинальный ток до 24A.
2. Основные характеристики
Высокая мощность: типичная 4.1W, максимальная 24W, стабильная работа в суровых условиях.
Отличное сопротивление: низкое R_DS(on) значительно снижает потери при коммутации, повышая эффективность.
Высокое напряжение: до 30V, подходит для высоковольтных применений.
Большой ток: до 24A, для сильноточных коммутаций, удовлетворяет мощные устройства.
Корпус DFN-8: миниатюрный, эффективное использование площади PCB, хорошее рассеивание тепла.
3. Области применения
Управление питанием: DC-DC преобразователи и коррекция коэффициента мощности, повышение эффективности, снижение потерь.
Электромобили: управление батареями, высокомощные и эффективные.
Носимые устройства: миниатюрный корпус, эффективное управление питанием.
Драйверы светодиодов: эффективное питание, снижение нагрева.
Промышленные системы: коммутация и управление мощными нагрузками.
4. Преимущества
Передовая полупроводниковая технология, надёжность при высоких частотах и токах. Низкое сопротивление и быстрое переключение, минимальные потери, оптимальное тепловое управление.
5. Конкурентоспособность
По сравнению с аналогами превосходит по сопротивлению и напряжению, особенно в высокомощных и сильноточных применениях. Конкурентоспособен на рынке, удовлетворяет строгие требования.
6. Заключение
AONR21321 — мощный и адаптивный P-канальный MOSFET с высокой мощностью, низким сопротивлением и высоким напряжением, преимущества корпуса. Идеальное решение для эффективного управления питанием, незаменимый компонент в современном дизайне. Надёжный выбор.
Запрос котировки
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары