Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Available for RFQ
Технические данные
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
AOD3N50 Обзор продукта
Основная информация о продукте
AOD3N50 — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET, выпущенный компанией AOS (Advanced Semiconductor Engineering). Он выпускается в корпусе TO-252 (DPAK), что обеспечивает оптимизированный отвод тепла и подходит для строгих применений силовой электроники. AOD3N50 разработан для удовлетворения потребностей в высоком напряжении и высоком токе, может стабильно работать в широком диапазоне температур.
Технические характеристики
Тип монтажа: поверхностный монтаж, удобен для автоматизированного производства и сборки, подходит для современного электронного производства.
Максимальное сопротивление во включенном состоянии (Rds On): при 1,5 А и 10 В максимальное сопротивление во включенном состоянии составляет 3 Ом, что обеспечивает эффективное снижение энергопотребления при протекании тока.
Максимальное напряжение управления: данный MOSFET гарантирует минимальное Rds On при напряжении управления 10 В, повышая эффективность переключения, подходит для различных импульсных источников питания и систем привода двигателей.
Непрерывный ток стока (Id): при температуре окружающей среды 25°C AOD3N50 способен поддерживать непрерывный ток стока до 2,8 А, значительно повышая свою адаптивность в токоемких применениях.
Напряжение сток-исток (Vdss): номинальное напряжение сток-исток данного прибора составляет 500 В, подходит для высоковольтных устройств преобразования энергии или высоковольтных схем управления, повышая гибкость и безопасность применения питания.
Рабочая температура: широкий диапазон рабочих температур от -50°C до 150°C обеспечивает надежную работу в суровых условиях.
Входная емкость (Ciss): при 25 В максимальная входная емкость составляет 331 пФ; эта характеристика особенно важна для высокочастотных применений, позволяя эффективно снижать коммутационные потери и повышать скорость переключения.
Заряд затвора (Qg): максимальный заряд затвора составляет 8 нКл при 10 В, что указывает на низкие коммутационные потери при управлении, подходит для высокоэффективного управления питанием.
Области применения
AOD3N50 благодаря своим характеристикам высокого напряжения и высокой плотности тока особенно подходит для следующих применений:
Импульсные источники питания: в AC-DC или DC-DC преобразователях позволяет эффективно снижать коммутационные потери и повышать эффективность преобразования.
Привод электродвигателей: может использоваться в схемах привода бесщеточных двигателей постоянного тока и шаговых двигателей, обеспечивая эффективное и стабильное управление током.
Усилители мощности: обеспечивает стабильную производительность в аудио- или радиочастотных усилителях, требующих высокой линейности и надежности.
Высоковольтные схемы: используется в качестве силового коммутационного элемента в высоковольтных электротехнических технологиях и оборудовании, обеспечивая эффективную логику управления.
Электронная нагрузка: также может использоваться в приложениях электронной нагрузки в качестве ключевого компонента управления током и защиты.
Заключение
AOD3N50 — это хорошо спроектированный N-канальный MOSFET с превосходными характеристиками, подходящий для сложных и требовательных применений. Благодаря превосходному сопротивлению во включенном состоянии, способности обработки мощности и широкому диапазону применения он будет играть важную роль на постоянно растущем рынке силовой электроники. Будь то в области преобразования энергии или в схемах привода, AOD3N50, несомненно, является предпочтительным выбором инженеров; его надежность и производительность будут способствовать стабильной работе различных электроэнергетических устройств.
Запрос котировки
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары