WMSIC Электронные компоненты

AOS AONS66917

МодельAONS66917
КорпусDFN-8(5x6)
БрендAOS
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration Date code within 2 years

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
AOS AONS66917
Тип
AOS
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
AOS
Модель
AONS66917
Шаг
1
Корпус
DFN-8(5x6)
Количество
1 N-канальный
Тип
N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.215g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0263471798
Рабочая температура
55℃~+150℃
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
3000
Напряжение сток-исток (Vdss)
100V
Входная емкость (Ciss)
5.94nF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

AONS66917 Обзор продукта
I. Введение
AONS66917 — это поверхностно-монтируемый N-канальный мощный MOSFET с номинальным напряжением сток-исток 100 В и непрерывным током стока 100 А (Tc), подходящий для сильноточных, высокоэффективных коммутационных сценариев. Прибор выполнен в 8-выводном корпусе DFN (5x6 мм), обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую способность обработки мощности, подходит для понижающих преобразователей, приводов двигателей и синхронного выпрямления.
II. Основные параметры
Тип: N-канальный MOSFET (поверхностный монтаж)
Напряжение сток-исток Vdss: 100 В
Непрерывный ток стока Id: 100 А (при базовом токе Tc)
Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 2,9 мОм @ Vgs = 10 В
Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 2,2 В
Общий заряд затвора Qg: 80 нКл @ Vgs = 10 В
Входная емкость Ciss: 5,94 нФ
Выходная емкость Coss: 1,475 нФ
Обратная передаточная емкость Crss (Cgd): 24 пФ
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: DFN-8 (5 x 6 мм)
Производитель: AOS
Рассеиваемая мощность: 6,2 Вт (Ta), 215 Вт (Tc)
III. Особенности и преимущества
Низкое сопротивление в открытом состоянии: 2,9 мОм (при управлении затвором 10 В) значительно снижает потери проводимости при высоком токе, повышая эффективность системы.
Высокая токовая способность: при подходящих условиях охлаждения выдерживает непрерывный ток стока до 100 А, подходит для мощных применений.
Полные параметры переключения: большая входная емкость (Ciss = 5,94 нФ) и общий заряд затвора (Qg = 80 нКл) указывают на необходимость подходящего дизайна управления затвором для быстрого переключения, чтобы сбалансировать потери переключения и EMI.
Широкий температурный диапазон: рабочая температура от -55 ℃ до +150 ℃, адаптирован к суровым условиям и высокотемпературным режимам.
Компактный корпус: DFN-8 (5x6) обеспечивает относительно малую занимаемую площадь PCB, а при хорошем дизайне охлаждения (например, нижний теплоотводящий контакт и многослойная медь) позволяет достичь высокой плотности мощности.
IV. Типичные области применения
Синхронное выпрямление и высокоэффективные понижающие импульсные источники питания (VR, DC-DC)
Привод двигателей и инверторы (требуется сильноточное переключение)
Автомобильное и промышленное управление питанием (средне-высоковольтный диапазон 100 В)
Зарядные устройства, коммутационные элементы входного каскада корректора коэффициента мощности (PFC)
V. Рекомендации по корпусу и тепловому управлению
Корпус DFN-8 (5x6 мм) способствует оптимизации площади PCB, но для реализации высокой токовой и мощностной способности прибора рекомендуется:
использовать большой нижний контакт и многослойные внутренние медные теплоотводящие слои на PCB, направлять тепло на внутренний/нижний теплоотводящий слой через переходные отверстия (thermal vias);
проектировать короткие, низкоимпедансные токовые контуры для снижения паразитной индуктивности;
использовать подходящий радиатор или увеличить толщину меди для удовлетворения требований тепловой стабильности системы;
в цепи управления затвором использовать демпфирование или резистор затвора для баланса скорости переключения и EMI.
VI. Меры предосторожности при проектировании
Напряжение управления затвором: номинальное RDS(on) измерено при Vgs = 10 В; при работе с низким напряжением управления (например, 5 В) следует оценить влияние роста сопротивления в открытом состоянии на потери системы.
Заряд затвора и возможности драйвера: общий заряд затвора 80 нКл требует достаточно сильного тока управления для быстрого переключения, иначе возрастут потери переключения и тепловая нагрузка.
Потери переключения и емкостные эффекты: большие Ciss/Coss влияют на энергию переходных процессов переключения, особенно в высокочастотных применениях необходимо взвесить частоту переключения и эффективность.
Защита и надежность: при высоковольтных или сильноточных переходных процессах следует предусмотреть подходящий плавный пуск, ограничение тока и защиту от перегрева для обеспечения долгосрочной надежности.
AONS66917 благодаря низкому RDS(on), высокому токовому пределу и компактному корпусу предлагает привлекательный выбор для дизайнов, требующих высокой эффективности и высокой плотности мощности. В реальных применениях разумный дизайн управления затвором и теплового управления является ключом к раскрытию его характеристик.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.