WMSIC Электронные компоненты

AOS AOTF10N60

МодельAOTF10N60
КорпусTO-220F-3
БрендAOS
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 21+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
AOS AOTF10N60
Тип
AOS
Минимальная упаковка
1000 管

Технические параметры

Упаковка
Туба
Бренд
AOS
Модель
AOTF10N60
Шаг
1
Корпус
TO-220F-3
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
2.51g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM69419051
Рассеиваемая мощность (Pd)
50W
Минимальная упаковочная единица
Туба
Минимальное количество в упаковке
1000
Напряжение сток-исток (Vdss)
600V
Входная емкость (Ciss)
1.6nF
Выходная емкость (Coss)
160pF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

AOTF10N60 Обзор продукта
1. Введение
AOTF10N60 — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET, производимый компанией AOS (Alpha and Omega Semiconductor). Продукт разработан для применений с высоким напряжением и током, подходит для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и приводов двигателей. AOTF10N60 имеет мощность 50 Вт, номинальное напряжение сток-исток 600 В и номинальный ток стока 10 А, что позволяет удовлетворять потребности различных высокоэффективных силовых электронных устройств.
2. Технические характеристики
Тип: N-канальный MOSFET
Номинальная мощность: 50 Вт
Напряжение сток-исток (Vds): 600 В
Ток стока (Id): 10 А
Тип корпуса: TO-220F
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C
Защитные свойства: встроенная защита от электростатического разряда и перегрева
3. Особенности конструкции
AOTF10N60 изготовлен по новейшей технологии производства полупроводников, обладает отличным сопротивлением во включенном состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения. Эти характеристики обеспечивают работу с низкими потерями переключения и повышают общую эффективность системы. Кроме того, высокое значение Vds делает этот MOSFET особенно подходящим для высоковольтных применений.
Сопротивление во включенном состоянии: значение R_DS(on) AOTF10N60 обычно очень мало при определенном напряжении смещения, что означает крайне низкие потери в проводящем состоянии и повышение энергоэффективности. Конкретные значения см. в техническом описании.
Характеристики переключения: элемент имеет очень высокую скорость переключения, что позволяет эффективно снижать потери переключения при высокочастотной работе, что критически важно для таких применений, как импульсные источники питания.
4. Области применения
AOTF10N60 подходит для различных электронных применений, особенно там, где требуются высокая эффективность и надежность, включая, но не ограничиваясь:
Управление питанием: в конструкции импульсных источников питания AOTF10N60 может использоваться в высоковольтных DC-DC преобразователях, обеспечивая эффективное преобразование напряжения и выход.
Приводы двигателей: в схемах приводов двигателей MOSFET в качестве коммутационного элемента обеспечивает эффективное управление и привод двигателя, подходит для электроинструментов, электромобилей и бытовой техники.
Драйверы светодиодов: в системах светодиодного освещения AOTF10N60 может использоваться для управления мощными светодиодами, обеспечивая высокую яркость и снижая энергопотребление.
Инверторы: этот MOSFET может использоваться в конструкции инверторов для преобразования постоянного тока в переменный, широко применяется в солнечных инверторах и других системах управления энергией.
5. Корпус и охлаждение
Корпус TO-220F обладает хорошими тепловыми характеристиками, что позволяет AOTF10N60 стабильно работать при высокой мощности. Конфигурация выводов облегчает монтаж на печатной плате и эффективное подключение радиатора, обеспечивая поддержание безопасной рабочей температуры MOSFET при непрерывном высоком токе. Кроме того, при проектировании следует уделять внимание управлению теплом, чтобы предотвратить снижение производительности или отказ из-за перегрева.
6. Преимущества
Причины выбора AOTF10N60 включают:
Высокая надежность: использование передовых технологий обеспечивает стабильность и надежность MOSFET в тяжелых условиях работы.
Энергоэффективность: благодаря низкому сопротивлению во включенном состоянии и быстрому переключению повышается общая энергоэффективность системы и снижаются потери энергии.
Широкая применимость: этот MOSFET отлично проявляет себя в различных типовых применениях и может удовлетворять потребности силовой электроники в разных отраслях.
7. Заключение
В целом, AOTF10N60 как отличный N-канальный MOSFET обеспечивает превосходные характеристики в высоковольтных и сильноточных применениях. Благодаря своим техническим характеристикам и широкому спектру применений AOTF10N60 является незаменимым важным компонентом во многих силовых электронных разработках. Если вы ищете MOSFET, способный обрабатывать высокую мощность и обеспечивать высокую эффективность, AOTF10N60, несомненно, идеальный выбор.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.