WMSIC Электронные компоненты

BORN BM3415E

МодельBM3415E
КорпусSOT-23
БрендBORN
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
BORN BM3415E
Тип
BORN
Минимальная упаковка
3000

Технические параметры

Бренд
BORN
Модель
BM3415E
Шаг
1
Корпус
SOT-23
Количество
1 P-канал
Тип
P-канал
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.031g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0264692201
Рассеиваемая мощность (Pd)
1.5W
Минимальное количество в упаковке
3000
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V
Входная емкость (Ciss)
675pF
Выходная емкость (Coss)
120pF
Заряд затвора (Qg)
[email protected]

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

BM3415E Обзор продукта
I. Обзор
BM3415E — это маломощный P-канальный MOSFET, выпущенный компанией BORN, в корпусе SOT-23, специально разработанный для портативных и ограниченных по пространству применений управления питанием. Прибор имеет номинальное напряжение сток-исток 20 В, непрерывный ток стока 4,8 А, типичное сопротивление во включенном состоянии всего 45 мОм (при VGS=4,5 В), подходит для использования в качестве низковольтного высокоуровневого ключа, управления силовым трактом и коммутации нагрузки.
II. Основные технические характеристики
Тип: P-канальный MOSFET (одиночный)
Корпус: SOT-23 (поверхностный монтаж)
Напряжение пробоя: Vdss = 20 В
Непрерывный ток стока: Id = 4,8 А
Сопротивление во включенном состоянии: RDS(on) = 45 мОм @ |VGS|=4,5 В (типичное)
Пороговое напряжение: |VGS(th)| ≈ 1,2 В (типичное, для P-канальных приборов пороговое напряжение отрицательное, обычно указывается по абсолютной величине)
Рассеиваемая мощность: Pd = 1,5 Вт (ограничена корпусом, требуется отвод тепла)
Заряд затвора: Qg = 14,2 нКл @ 4,5 В (справочно для управления при переключении)
Входная емкость: Ciss = 675 пФ; проходная емкость Crss = 85 пФ; выходная емкость Coss = 120 пФ
III. Типичные области применения
Высокоуровневый ключ и отключение нагрузки в устройствах с батарейным питанием
Управление силовым трактом и выбор источника питания (power path) в USB/мобильных устройствах
Коммутация малых токов в портативных зарядных устройствах и модулях питания
Защита от обратного тока и изоляция нагрузки
Любые случаи, требующие малогабаритного корпуса, эффективной коммутации и напряжения не выше 20 В
IV. Рекомендации по проектированию и использованию
Высокоуровневый ключ: как P-канальный прибор может напрямую управлять нагрузкой на высоком уровне, упрощая схему. При использовании в низковольтных системах (например, 3,3 В/5 В) обратите внимание на полярность и амплитуду VGS, пороговое напряжение прибора указывается по абсолютной величине.
Потери переключения и управление: Qg=14,2 нКл является средним значением для приборов в корпусе SOT-23; при требовании высокой частоты переключения или быстрых фронтов необходимо обеспечить достаточный ток управления затвором или последовательное RC-звено для контроля dv/dt, чтобы избежать звона и чрезмерных переходных потерь.
Тепловой режим: прибор имеет Pd=1,5 Вт, и RDS(on) при полном токе (например, 4,8 А) создает значительную мощность: P ≈ I^2·RDS(on) = 4,8^2×0,045 ≈ 1,04 Вт, что близко к пределу рассеиваемой мощности корпуса. Поэтому рекомендуется: при проектировании PCB увеличить площадь медной фольги (теплоотводящей площадки) и усилить тепловую связь с землей/силовым слоем;
если непрерывный ток близок к номинальному, следует рассмотреть параллельное включение приборов или выбрать более крупный корпус для снижения температуры перехода;
при высокой температуре окружающей среды применять снижение номинальных параметров.
Рекомендации по компоновке: затвор должен быть как можно короче и удален от источников шума; медная фольга стока/истока должна быть увеличена с использованием переходных отверстий для многоточечного отвода тепла; между затвором и истоком можно параллельно включить небольшой конденсатор или использовать RC-ограничитель для подавления выбросов при переключении.
Выводы и корпус: расположение выводов SOT-23 может различаться у разных производителей; конкретное определение выводов и максимальные номиналы см. в техническом описании производителя.
V. Преимущества и ограничения
Преимущества: малый корпус подходит для конструкций с ограниченным пространством; низкое RDS(on) обеспечивает хорошую эффективность при низком напряжении; напряжение 20 В подходит для типичных потребительских и промышленных низковольтных сценариев.
Ограничения: SOT-23 имеет высокое тепловое сопротивление, при длительной работе с высоким током требуется строгий отвод тепла; Qg средний или выше среднего, при управлении переключением необходимо учитывать токовые возможности затвора.
VI. Заключение
BM3415E представляет собой P-канальный MOSFET для низковольтных высокоуровневых ключей и управления силовым трактом, сочетающий малые размеры и низкие потери проводимости, подходит для портативных терминалов и универсальных применений питания. При использовании рекомендуется обращать внимание на управление затвором, частоту переключения и тепловой режим PCB для обеспечения долговременной надежности и низкого нагрева. Подробные сведения о выводах, максимальных номиналах и типовых осциллограммах см. в официальном техническом описании BORN.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.