BORN 13001

13001 Обзор продукта
I. Введение в продукт
BORN 13001 — высоковольтный маломощный NPN биполярный транзистор в корпусе SOT-23, типовое применение — переключение и усиление в случаях, требующих высокого напряжения пробоя и малой занимаемой площади. Основные параметры прибора: ток коллектора Ic 200 мА, напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo 420 В, рассеиваемая мощность Pd 300 мВт, коэффициент усиления по постоянному току hFE ≈ 30, граничная частота fT 8 МГц, обратный ток коллектора Icbo 100 мкА, напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) ≈ 0,5 В, обратное напряжение пробоя эмиттер-база Vebo 7 В.
II. Основные характеристики и электрический смысл
Высоковольтная способность: Vceo 420 В, подходит для высоковольтных маломощных переключателей, поглощения выбросов или высоковольтных импульсных применений.
Средний коэффициент усиления и средне-низкочастотная характеристика: hFE≈30, fT≈8 МГц, подходит для низко/среднечастотного переключения и усиления малых сигналов, не подходит для высокочастотного радиочастотного входного каскада.
Низкая рассеиваемая мощность корпуса: Pd=300 мВт в SOT-23, необходимо учитывать управление теплом, не рекомендуется длительная работа при высоком VCE×Ic.
Ограничения по утечке и напряжению: Icbo 100 мкА при высоком напряжении может создавать измеримую утечку, Vebo=7 В запрещает подачу чрезмерного обратного напряжения на базу.
III. Рекомендации по проектированию схем
Использование в качестве переключателя: при работе в качестве переключающего драйвера рекомендуется проектировать с насыщением. Теоретический минимальный ток базы Ib≈Ic/hFE ≈ 200 мА/30 ≈ 6,7 мА; для гарантии насыщения часто принимают Ib≈Ic/10 ≈ 20 мА (в зависимости от возможностей драйвера).
Расчёт последовательного резистора базы: если напряжение управления 5 В, с учётом падения напряжения база-эмиттер около 0,7 В, Rb ≈ (Vdrv−0,7 В)/Ib.
Мощность и область безопасной работы: Pd=300 мВт ограничивает длительный ток при высоком напряжении. Пример: если VCE=5 В, допустимый Ic≈300 мВт/5 В=60 мА; в высоковольтном режиме необходимо убедиться, что переходный импульс не превышает тепловой предел и соответствует области безопасной работы (SOA) между коллектором и базой.
IV. Тепловое проектирование и внимание к корпусу
Корпус SOT-23 имеет ограниченный теплоотвод; рекомендуется увеличить площадь медной фольги на печатной плате (контактная площадка коллектора и направление теплоотвода) и расположить её ближе к земляному/питающему слою для снижения θJA.
В типовых условиях печатной платы при приближении к максимальной Pd температура перехода заметно возрастает; необходимо оценить температуру перехода по фактическому θJA и оставить запас.
Избегайте длительной работы в условиях, близких к Pd; рекомендуется закладывать тепловой запас 20–30%.
V. Надёжность и меры предосторожности
Обратное напряжение базы: Vebo=7 В, обратное напряжение база-эмиттер не должно превышать это значение, иначе возможно повреждение перехода база-эмиттер.
Утечка при высоком напряжении: при приближении к максимальному Vce Icbo возрастает, необходимо оценить влияние на статический ток схемы.
ESD и хранение: приборы SOT-23 обычно чувствительны к электростатическому разряду; рекомендуется соблюдать антистатические и влагозащитные меры в соответствии с JEDEC/отраслевой практикой, использовать подходящий профиль оплавления во избежание перегрева.
VI. Типовые области применения
Высоковольтные маломощные переключатели: например, драйверы светодиодов, вспомогательные цепи импульсных источников питания, цепи защиты от обратного тока в изолированных драйверах.
Входной каскад защиты от выбросов/ограничения: работа в качестве токоограничивающего или совместно с ограничивающими элементами в условиях высоковольтных переходных процессов.
Общее низкочастотное усиление: для низкочастотного усиления или формирования сигнала, но не для широкополосного высокочастотного усиления.
Примечание: расположение выводов SOT-23 может различаться у разных производителей; фактические определения выводов, типовые формы сигналов и абсолютные предельные значения см. в официальном техническом описании BORN.