CJ CJBA3139K

CJBA3139K Обзор продукта
I. Введение
CJBA3139K — это малогабаритный P-канальный полевой транзистор, выпускаемый CJ, с номинальным напряжением 20 В, непрерывным током стока 660 мА, предназначенный для портативных и низковольтных сильноточных коммутационных применений. Корпус прибора DFN-3L (1,0 × 0,6 мм), подходит для высокоплотных PCB и мобильных устройств с ограниченным пространством, схем управления питанием.
II. Основные параметры (типовые значения)
Напряжение сток-исток Vdss: 20 В
Непрерывный ток стока Id: 660 мА
Сопротивление во включенном состоянии RDS(on): 520 мОм (|Vgs|=4,5 В)
Пороговое напряжение Vgs(th): около 0,35 В (по абсолютной величине)
Рассеиваемая мощность Pd: 100 мВт
Входная емкость Ciss: 113 пФ
Обратная передаточная емкость Crss: 9 пФ
Корпус: DFN-3L (1×0,6 мм)
Количество/тип: 1 шт. P-канальный
III. Функции и особенности
Малый корпус DFN, удобен для конструкций с ограниченным пространством и автоматического монтажа.
Относительно низкая входная емкость (Ciss=113 пФ), малое потребление энергии на управление затвором, подходит для низкоскоростных или среднескоростных коммутационных применений.
Среднее сопротивление во включенном состоянии (520 мОм) обеспечивает низкие потери мощности в маломощных применениях.
Напряжение 20 В подходит для высоко-side коммутаторов и обратной защиты в устройствах с одним литиевым элементом (или различными низковольтными источниками питания).
IV. Области применения
Высоковольтные нагрузочные коммутаторы и защита от обратного тока в устройствах с батарейным питанием (переключение пути питания).
Управление питанием портативных устройств, контроль заряда/разряда, подсветка и микромощные коммутаторы.
Статические коммутаторы или защитные элементы с низковольтным логическим управлением.
V. Рекомендации по проектированию и применению
Как P-канальный прибор, для включения требует отрицательного напряжения затвора относительно истока (то есть затвор должен быть подтянут к низкому уровню); при |Vgs|≈4,5 В достигается номинальное RDS(on). Конкретный уровень управления затвором должен соответствовать напряжению питания системы и логическим уровням.
Учитывайте тепловые ограничения: номинальная рассеиваемая мощность Pd=100 мВт, прибор в малом корпусе DFN имеет ограниченную способность теплоотвода. По оценке P = I^2·RDS(on), при полном токе 660 мА потребляемая мощность составляет около 226 мВт, что значительно превышает Pd, поэтому длительное включение в таких условиях недопустимо. Необходима тепловая оценка и проектирование с снижением номинала, либо допускать более высокий ток только в импульсном/кратковременном режиме.
Рекомендации по разводке PCB: используйте большую медную фольгу под и вокруг прибора, максимально увеличивайте площадь теплоотвода; короткие и толстые дорожки для снижения паразитного сопротивления; контактные площадки и окна паяльной маски должны соответствовать техническому описанию прибора.
Выводы и корпус: прибор имеет три вывода DFN-3L; фактическое расположение выводов см. в официальных данных по корпусу; пайку рекомендуется выполнять в соответствии с процессом оплавления и рекомендованным производителем температурным профилем.
VI. Подсказки по типовому применению в схемах
При использовании в качестве высоко-side коммутатора можно подключить исток прибора к положительному полюсу батареи, сток к нагрузке, затвор управлять через драйвер или резистивную сеть. Для отключения затвор подтягивается к потенциалу истока; для включения затвор подтягивается к потенциалу, близкому к земле, чтобы обеспечить достаточное |Vgs|.
В применениях обратной защиты используется малое падение напряжения P-канала при прямом включении и автоматическое блокирование тока в обратном направлении.
VII. Заключение
CJBA3139K в диапазоне 20 В, в управлении питанием портативных устройств и высоко-side коммутаторах обладает преимуществами малых размеров и низкого энергопотребления на управление. Однако из-за ограничений корпуса и мощности при длительных больших токах требуется осторожное снижение номинала и хорошее тепловое проектирование. При выборе следует учитывать максимальный ток системы, допустимое падение напряжения и способность PCB к теплоотводу; при необходимости выбирать MOSFET с более низким RDS(on) или большим корпусом. Для подробного определения выводов, температурных коэффициентов и размеров корпуса обратитесь к официальному техническому описанию CJ.