WMSIC Электронные компоненты

CJ CJBA7002K

МодельCJBA7002K
КорпусDFN-3L(1x0.6)
БрендCJ
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration Date code within 2 years

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
CJ CJBA7002K
Тип
CJ
Минимальная упаковка
10000 编带

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
CJ
Модель
CJBA7002K
Шаг
1
Корпус
DFN-3L(1x0.6)
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.01g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0227793259
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
100mW
Минимальная упаковочная единица
Лента
Минимальное количество в упаковке
10000
Напряжение сток-исток (Vdss)
60V
Входная емкость (Ciss)
80pF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

CJBA7002K обзор продукта
I. Введение в продукт
CJBA7002K — маломощный N-канальный MOSFET, выпускаемый Jiangsu Changjing/Changjing (CJ), одиночный прибор, сверхмалый корпус DFN-3L (1,0×0,6 мм). Номинальное напряжение сток-исток 60 В, типовое сопротивление во включенном состоянии RDS(on)=1,8 Ом (VGS=4,5 В, ID=0,41 А), непрерывный ток стока 410 мА, рассеиваемая мощность Pd=100 мВт. Широкий диапазон рабочих температур (-55 °C ~ +150 °C), подходит для портативных применений с ограниченным пространством и управления питанием.
II. Основные электрические параметры (ключевые)
VDSS: 60 В
ID (непрерывный): 410 мА (предел прибора)
RDS(on): 1,8 Ом @ VGS=4,5 В, ID=0,41 А
VGS(th): 1,4 В (типовое)
Qg: 2,8 нКл @ 10 В (общий заряд затвора)
Ciss: ≈80 пФ, Crss≈5,6 пФ @ 40 В
Pd: 100 мВт (без дополнительного теплоотвода)
Корпус: DFN-3L (1×0,6 мм), сверхмалый размер
III. Анализ характеристик и тепловые ограничения
Этот прибор отличается малым размером, низкой паразитной емкостью и быстродействием переключения (малые Ciss, Qg), подходит для высокочастотных или импульсных коммутационных применений. Однако RDS(on) относительно велико (1,8 Ом), при более высоком токе потери проводимости значительны. Исходя из Pd=100 мВт и RDS(on)=1,8 Ом, безопасный непрерывный ток составляет примерно: Imax ≈ sqrt(Pd / RDS) = sqrt(0,1 / 1,8) ≈ 0,236 А (около 236 мА); поэтому длительный рабочий ток следует ограничить этим диапазоном, иначе необходимо снижать температуру перехода с помощью теплоотвода PCB или прерывистого режима работы. RDS(on), указанное при VGS=4,5 В, показывает, что прибор подходит для управления 3,3 В ~ 5 В, но для получения более низкого сопротивления во включенном состоянии следует обратиться к кривым при более высоком VGS (по данным производителя).
IV. Типовые области применения
Коммутатор маломощной нагрузки, управление силовым трактом в портативных устройствах
Управление питанием и коммутатор сброса/разрешения (периферия PMIC)
Коммутационный элемент маломощного DC-DC преобразователя (малый ток)
Сигнальные коммутаторы, схемы изоляции и защиты
Высокоплотные печатные платы, требующие малого корпуса и низкой емкости затвора
V. Корпус и рекомендации по компоновке
Корпус DFN-3L (1×0,6) чрезвычайно мал, преимущество — малая занимаемая площадь и низкая паразитная индуктивность. При практическом проектировании рекомендуется:
Обратиться к чертежу корпуса и назначению выводов производителя; центральная большая контактная площадка или задняя теплоотводящая область обычно требуют соответствующей пайки;
Использовать короткие и широкие дорожки для подключения питания и земли, повышая теплоотвод и токонесущую способность;
При необходимости более высокого непрерывного тока или лучшего теплоотвода добавить медную фольгу под контактными площадками и несколько рядов микроотверстий/переходных отверстий для усиления теплового канала;
Для управления затвором можно рассмотреть последовательный малый резистор для подавления звона, при необходимости параллельно подключить TVS для защиты от перенапряжения.
VI. Выбор и меры предосторожности
Руководствоваться полным техническим описанием производителя, подтвердить VGS(max), SOA, обратное восстановление и другие подробные параметры;
Если рабочий ток приближается к 200~250 мА или превышает их, следует рассмотреть прибор с более низким RDS(on) или большим корпусом;
Учитывать технологию пайки и ограничения температуры оплавления; сверхмалый корпус чувствителен к количеству паяльной пасты и профилю оплавления;
В случаях с обратным током или током свободного хода учитывать характеристики встроенного диода и обратного восстановления, при необходимости параллельно подключить диод Шоттки или выбрать специализированный MOSFET.
VII. Заключение
CJBA7002K отличается сверхмалым корпусом DFN, низким зарядом затвора и широким температурным диапазоном, подходит для применений с ограниченной площадью платы, высокими требованиями к скорости переключения и небольшим током. При проектировании необходимо учитывать относительно высокое RDS(on) и ограниченную рассеиваемую мощность, рационально оценивать фактический рабочий ток и теплоотвод PCB для обеспечения долгосрочной надежности. Для получения более подробного чертежа корпуса, назначения выводов и полных электрических характеристик обратитесь к техническому описанию производителя.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.