cjiang FNR5040S100MT

FNR5040S100MT Обзор продукта — cjiang 10 мкГн магнитный экранированный силовой индуктор
I. Введение
FNR5040S100MT — это поверхностно монтируемый магнитный экранированный силовой индуктор, представленный cjiang, с номинальной индуктивностью 10 мкГн и допуском ±20%. Компонент выполнен в SMD-корпусе 5×5 мм, сочетает магнитный компаунд и экранирующую структуру, обеспечивая баланс магнитных свойств и помехозащищённости; подходит для импульсных источников питания и схем фильтрации питания с ограниченным пространством и требованиями к подавлению излучения и высокой интеграции.
II. Основные электрические параметры
Индуктивность: 10 мкГн (±20%)
Номинальный ток (Irms): 2,35 А (в пределах допустимого нагрева и контроля снижения индуктивности)
Ток насыщения (Isat): 2,7 А (при этом токе индуктивность значительно снижается)
Сопротивление постоянному току (DCR): около 83 мОм
Тип: магнитный экранированный индуктор (корпус из магнитного компаунда, экранирующая структура)
Корпус: SMD, 5×5 мм
III. Особенности и преимущества
Высокая токовая нагрузка: номинальный ток 2,35 А, ток насыщения 2,7 А, подходит для маломощных и среднемощных понижающих/повышающих стабилизаторов.
Низкое сопротивление постоянному току: 83 мОм способствует снижению потерь проводимости и повышению эффективности преобразования.
Экранированная конструкция: магнитный экран и корпус из компаунда уменьшают утечку магнитного потока, снижают помехи и перекрёстные наводки на соседние компоненты, способствуя контролю EMI.
SMD-корпус: малогабаритный корпус 5×5 мм удобен для автоматического монтажа и компоновки печатных плат с высокой плотностью.
IV. Типовые области применения
DC-DC понижающие/повышающие преобразователи (малой и средней мощности)
Элементы фильтрации и накопления энергии в телефонах, планшетах и портативных устройствах
Модули питания промышленного управления и сетевого оборудования
Сети подавления EMI и выходной фильтрации
V. Рекомендации по выбору и применению
Запас по току: в реальном применении рекомендуется выбирать номинальный ток 2,35 А или ниже, чтобы избежать длительной работы вблизи насыщения и перегрева; для импульсных токов следует учитывать пиковые и средние значения и оставлять запас.
Нагрев и отвод тепла: DCR компонента вызывает потери (I²·R); оценивайте нагрев с учётом отвода тепла печатной платы, площади медной фольги и расположения окружающих компонентов.
Характеристика насыщения: если в схеме есть кратковременные импульсы большого тока, убедитесь, что при пиковом токе индуктор не входит в состояние сильного насыщения (Isat = 2,7 А даёт ориентир).
Частотная характеристика: в зависимости от рабочей частоты измерьте или запросите у производителя фактическое снижение индуктивности с частотой и собственную резонансную частоту (SRF), чтобы гарантировать соответствие индуктора требованиям фильтрации в рабочей полосе.
VI. Корпус и пайка
Рекомендуется стандартный SMD-процесс оплавления с соблюдением рекомендованного профиля оплавления производителя печатной платы и паяльной пасты; избегайте повторного высокотемпературного воздействия или превышения допустимой температуры компонента.
При компоновке предусмотрите для индуктора достаточную площадь медной фольги для улучшения отвода тепла, учитывайте экранирование и расстояние до критичных чувствительных сигналов.
При хранении и транспортировке избегайте сильных механических ударов и влажной среды; при необходимости применяйте стандартную влагозащитную обработку электронных компонентов.
VII. Рекомендации по приёмке и испытаниям
После получения рекомендуется провести визуальный осмотр, измерение DCR и выборочную проверку номинальной индуктивности; в целевой схеме провести испытания на нагрев и импульсный ток для подтверждения долговременной надёжности.
При строгих требованиях к EMI или высокочастотным характеристикам рекомендуется измерить импеданс и кривую собственной резонансной частоты компонента в целевом диапазоне частот или запросить у поставщика полную кривую частотной характеристики индуктора.
Резюме: FNR5040S100MT (10 мкГн, ±20%, 2,35 А, Isat 2,7 А, DCR 83 мОм, 5×5 мм магнитный экранированный SMD) подходит для маломощных и среднемощных модулей питания и случаев с требованиями подавления EMI. Разумный запас по току и теплу в сочетании с реальными испытаниями частотной характеристики обеспечивает хорошие результаты в плотной компоновке источников питания. Для получения полного технического описания или кривых частотных характеристик можно обратиться в техническую поддержку cjiang.