cjiang FNR4018S1R0MT

FNR4018S1R0MT Обзор продукта
I. Обзор
FNR4018S1R0MT — это SMD-силовой индуктор, выпущенный cjiang, предназначенный для средне- и высокотоковых импульсных источников питания. Номинальная индуктивность 1.0 μH, допуск ±20%, номинальный ток 3.3A, ток насыщения (Isat) до 5.2A, сопротивление постоянному току (DCR) всего 33 мОм. Устройство выполнено в квадратном корпусе 4×4 мм с магнитным экранированием, подходит для использования в качестве элемента накопления энергии и фильтрации в компактных высокоэффективных модулях питания.
II. Основные характеристики
Индуктивность: 1.0 μH (±20%)
Номинальный ток: 3.3 A (длительная работа при заданном повышении температуры и пределе снижения индуктивности)
Ток насыщения: 5.2 A (низкое ослабление индуктивности, адаптация к большим переходным токам)
Сопротивление постоянному току: 33 мОм (низкие потери, снижение нагрева I^2R)
Корпус и монтаж: SMD, размер 4×4 мм, совместим с автоматическим монтажом и оплавлением
Конструкция: магнитный экранированный индуктор, снижает утечку магнитного поля и помехи окружающим устройствам
III. Области применения
Индуктор накопления энергии на входе или выходе импульсных стабилизаторов (понижающих/повышающих)
Модули управления питанием (PMIC), модули питания (POL) и точечное питание
Мобильные устройства, коммуникационное оборудование, промышленное управление и автомобильная электроника (не критичные для безопасности пути)
Системы, требующие высокого пикового выходного тока и имеющие требования к размеру и эффективности
IV. Рекомендации по проектированию и компоновке
Рекомендуется размещать индуктор рядом с коммутационным устройством или нагрузкой, чтобы сократить трассы коммутационного узла, снизить паразитную индуктивность и EMI.
Для снижения нагрева оба конца индуктора следует соединить с более крупной медной фольгой; при необходимости добавить на нижнем слое медную землю для отвода тепла и переходные отверстия.
Несмотря на магнитное экранирование, при близком расположении нескольких катушек всё же необходимо оставлять определённое расстояние для предотвращения связи.
Рекомендуется использовать процесс оплавления, соответствующий темпу устройства, с типовым температурным профилем для SMD-компонентов, избегая перегрева.
V. Надёжность и меры предосторожности
При приближении к номинальному току или его превышении индуктивность устройства снижается из-за нагрева и магнитного насыщения; следует оставлять запас относительно фактической рабочей точки.
В условиях длительной высокой температуры сопротивление и индуктивность могут изменяться с нагревом; при проектировании системы следует учитывать температурный коэффициент и отвод тепла.
На этапе макета рекомендуется провести испытания токовой нагрузки и тепловизионную проверку целевой схемы, чтобы убедиться, что фактическое повышение температуры соответствует ожидаемому.
VI. Ключевые моменты выбора по сравнению с аналогами
Если позволяет пространство и требуется более низкое DCR, можно выбрать силовой индуктор с большим сечением обмотки или с сердечником; если система крайне чувствительна к EMI, можно рассмотреть устройства с более высоким уровнем экранирования.
Для применений с более строгим допуском индуктивности или более высокими частотными характеристиками можно также сравнить спецификации изделий, изготовленных по другим технологиям (например, многослойные или тонкоплёночные индукторы).
VII. Заказ и техническая поддержка
Модель устройства: FNR4018S1R0MT, бренд: cjiang, корпус: SMD 4×4 мм. Для получения образцов, размерных чертежей или кривых электрических испытаний (L vs I, кривая повышения температуры, частотный отклик) рекомендуется обратиться к поставщику или в техническую поддержку производителя за полным техническим описанием и рекомендациями по оплавлению.