CBI MMDT3906DW

MMDT3906DW Обзор продукта
I. Обзор
MMDT3906DW — высокопроизводительный PNP биполярный транзистор (BJT), разработанный для современных электронных схем с требованиями миниатюризации и высокой эффективности. Номинальная мощность 200 мВт, максимальное напряжение коллектор-эмиттер 40 В, максимальный ток коллектора 200 мА, корпус SOT-363, хороший теплоотвод и электрические характеристики. Производитель CBI (Chuangji).
II. Физические характеристики
Тип корпуса: SOT-363
Малый корпус для высокоплотных печатных плат;
Компактные размеры для портативных устройств.
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C.
Конфигурация выводов: стандартная SOT-363, взаимозаменяемость.
III. Электрические характеристики
Макс. напряжение коллектора (Vce): 40 В;
Макс. ток коллектора (Ic): 200 мА;
Рассеиваемая мощность (Pd): 200 мВт;
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): высокий.
IV. Области применения
Аудиоусилители: усиление аудиосигналов;
Переключающие схемы: коммутационные элементы;
Радиочастотные применения: модуляция и усиление;
Малая бытовая техника: умные устройства, портативные устройства;
Автоматизированное оборудование: управление датчиками и исполнительными механизмами.
V. Заключение
MMDT3906DW — PNP транзистор с множеством преимуществ, миниатюрный, эффективный и широко применяемый, надежный выбор для инженеров и дизайнеров.