DOWO SM8S17A

SM8S17A — однонаправленный TVS-диод с чипом в стеклянной пассивации, корпус DO-218AB.

Основные параметры: Vrwm — 17 V; напряжение ограничения — 27.6 V; напряжение пробоя VBR — 18.9 V; пиковый импульсный ток Ipp — 239 A; пиковая импульсная мощность Ppp — 6600 W при 10/1000 μs и коэффициенте заполнения 0.01%; обратный ток Ir — 10 μA; рабочая температура — -55 ℃…+175 ℃.

Оптимизированный чип в стеклянной пассивации обеспечивает быстрое срабатывание, эффективное ограничение напряжения и низкий ток утечки. Компонент соответствует AEC-Q101 и рассчитан на работу при температуре перехода Tj=175 ℃. Предназначен для автомобильных и промышленных систем с высокими требованиями к надежности. Подходит для испытаний на сброс нагрузки по ISO 7637-2 (5a/5b) и ISO 16750 с учетом условий испытаний.

Типичные области применения: защита автомобильного питания от переполюсовки, сброса нагрузки (load-dump) и переходных процессов зажигания; подавление переходных процессов на автомобильных интерфейсах CAN, LIN и FlexRay; защита промышленных источников питания и цепей управления реле; защита автомобильных камер, модулей ADAS и датчиков.

Корпус DO-218AB обеспечивает отвод тепла при импульсах высокой энергии. Стеклянная пассивация повышает влагостойкость и долговременную стабильность. Компонент сохраняет низкий ток утечки при высокой температуре и циклических нагрузках.

При выборе убедитесь, что Vrwm (17 V) выше максимального рабочего напряжения системы. Номинал Ppp=6600 W задан для формы импульса 10/1000 μs при коэффициенте заполнения 0.01%; при более высокой энергетической нагрузке учитывайте тепловой режим и возможность параллельного включения нескольких компонентов. На печатной плате сокращайте соединительные дорожки и увеличивайте площадь меди для отвода тепла; размещайте термочувствительные компоненты на удалении. Для двунаправленных импульсов или специальных топологий используйте соответствующую двунаправленную модель.