EVERLIGHT PT204-6C PT204

PT204-6C Обзор продукта
I. Введение в продукт
PT204-6C — это инфракрасный фотоприемник (фототранзистор, NPN-тип), выпускаемый EVERLIGHT (Тайвань), часто используемый в инфракрасном дистанционном управлении, фотоэлектрическом обнаружении и бесконтактных сенсорных применениях. Корпус — штыревой с прозрачной полимерной линзой, диаметр около 3 мм, удобен для монтажа на перфорированной плате или панели. Прибор наиболее чувствителен к инфракрасному свету вблизи 940 нм, имеет умеренные скорость отклика и чувствительность, подходит для приема сигналов дистанционного управления и оптоэлектронных переключателей в обычной бытовой и потребительской электронике.
II. Основные электрические параметры
Тип транзистора: NPN фототранзистор
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер VCEO: 30 В
Максимальный ток коллектора IC: 20 мА
Максимальная рассеиваемая мощность PD: 75 мВт
Темновой ток (без света) IDDark: 100 нА (тип.)
Пиковая длина волны отклика: 940 нм
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 0,4 В (IC = 2 мА)
Диапазон рабочих температур: -40 °C ~ +85 °C
III. Типовые характеристики и области применения
PT204-6C имеет наилучшую чувствительность вблизи 940 нм и подходит для:
Модулей приема инфракрасного дистанционного управления (бытовые пульты, игрушки)
Бесконтактных оптоэлектронных переключателей, счетчиков, обнаружения проникновения
Простых схем обнаружения интенсивности света и распознавания кодированных сигналов
Прибор имеет быстрый отклик и низкий темновой ток (около 100 нА), сохраняет хорошее отношение сигнал/шум даже при низкой освещенности. VCE(sat) составляет всего 0,4 В (при 2 мА), что удобно для прямого сопряжения с микроконтроллером или логической схемой.
IV. Корпус и механические характеристики
Форма корпуса: штыревой (линзовый), наружный диаметр около 3 мм
Расположение выводов подходит для стандартного монтажа через PCB, облегчает серийную сборку и замену.
V. Меры предосторожности при использовании
Старайтесь ограничивать работу в пределах номинального IC (20 мА) и учитывайте ограничение PD (75 мВт): при высоком VCE следует соответственно снижать IC (например, при питании 5 В, если VCE≈5 В, максимальный IC не должен превышать ~15 мА, чтобы не превысить рассеиваемую мощность).
Рекомендуемая рабочая точка: если VCC = 5 В и требуется IC ≈ 2 мА, можно последовательно с коллектором включить подтягивающий резистор R ≈ (5 В − 0,4 В) / 2 мА ≈ 2,3 кОм (типовая схема: коллектор к VCC через подтягивающий резистор, при освещении потенциал коллектора снижается).
Избегайте прямого воздействия сильного света или длительной высокой температуры; при пайке соблюдайте рекомендации производителя по термоциклам, чтобы не повредить корпус или выводы.
Соблюдайте меры защиты от электростатического разряда и правильное заземление, чтобы избежать повреждения ESD при сборке или испытаниях.
VI. Рекомендации по выбору и замене
Если применению требуются более высокий ток или более высокая рассеиваемая мощность, рекомендуется выбрать фототранзистор с более высокими номинальными Ic и Pd или использовать внешнюю усилительную схему; если требуется более узкая полоса или более высокая чувствительность, можно рассмотреть вариант с фильтром или специализированный модуль инфракрасного приема (со встроенным предусилителем и фильтрацией). При покупке уточняйте партию и спецификацию производителя для обеспечения соответствия параметров.