EVERLIGHT PT928-6C-F(6-1) PT928

PT928-6C-F(6-1) Обзор продукта
I. Введение в продукт
PT928-6C-F(6-1) — это NPN фототранзистор (штыревой), выпускаемый EVERLIGHT (Тайвань, Китай), в универсальном штыревом корпусе, длина L = 4,6 мм. Прибор хорошо реагирует на ближний инфракрасный свет (пиковая длина волны 940 нм), подходит для работы с инфракрасными светодиодами диапазона 940 нм в задачах фотодетектирования и переключения.
II. Основные параметры
Тип транзистора: NPN фототранзистор
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 30 В
Ток коллектора Ic (макс.): 40 мА
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 75 мВт
Темновой ток (при отсутствии освещения): 100 нА (типовое/максимальное значение)
Пиковая длина волны отклика: 940 нм
Диапазон рабочих температур: -25 °C ~ +85 °C
Тип корпуса: штыревой (выводной), L = 4,6 мм
Бренд: EVERLIGHT (Тайвань, Китай)
III. Особенности производительности
Высокая чувствительность в диапазоне 940 нм, совместимость с распространёнными инфракрасными светодиодами, усиление сигнала за счёт встроенного транзистора.
Низкий темновой ток (около 100 нА), малая утечка в отсутствие света, что способствует повышению отношения сигнал/шум и стабильности порога обнаружения.
Номинальный ток коллектора до 40 мА, удовлетворяет потребности типового обнаружения сигналов и управления малой нагрузкой; при высоком токе или напряжении необходимо учитывать рассеивание тепла, не превышать предел рассеиваемой мощности 75 мВт.
Штыревой корпус удобен для прототипирования, монтажа через отверстия и ремонта на месте.
IV. Типовые области применения
Приём инфракрасного дистанционного управления, фотоэлектрические переключатели и обнаружение приближения
Отражательное обнаружение объектов, датчики следования по линии и обхода препятствий (в паре с ИК-светодиодом)
Энкодеры и измерение частоты вращения (фотоэлектрический зазор, обнаружение перекрытия)
Обнаружение вторжений и фотоэлектрическое прерывание в системах безопасности/контроля доступа
Фотоэлектрическое позиционирование и подсчёт в промышленной автоматизации
V. Рекомендации по использованию
Обычно используется схема с общим эмиттером (общий провод) или с общим коллектором (в качестве выхода уровня); в цепи обычно применяется подтягивающий или стягивающий резистор для формирования читаемого напряжения сигнала; при экспериментах начинайте с большего сопротивления для определения оптимальной рабочей точки.
Избегайте работы при напряжении выше Vceo = 30 В и следите за тем, чтобы рассеиваемая мощность прибора не превышала 75 мВт при любых условиях; при необходимости ограничивайте ток или снижайте напряжение коллектора для защиты прибора.
Для повышения помехоустойчивости рекомендуется использовать узкополосный источник излучения 940 нм и подходящую светозащитную конструкцию или светофильтр для снижения влияния окружающего света (солнечного, ламп накаливания и т.д.) на порог обнаружения.
В высокоскоростных задачах обнаружения необходимо учитывать характеристики времени отклика фототранзистора (зависят от нагрузки и смещения); при необходимости используйте внешние ускоряющие цепи или специализированные фотодиоды с усилителем.
VI. Корпус, надёжность, хранение
Штыревой корпус удобен для ручной пайки и ремонта; при пайке соблюдайте общие правила для штыревых компонентов, избегайте длительного воздействия высокой температуры, чтобы не повредить корпус и внутреннюю структуру.
Рекомендуется хранить в сухом месте при нормальной температуре, избегать влажности и прямого сильного света; при транспортировке и сборке принимайте стандартные меры защиты от статического электричества для повышения выхода годных и надёжности.
Итог: PT928-6C-F(6-1) благодаря хорошему отклику в диапазоне 940 нм, низкому темновому току и универсальному штыревому корпусу подходит для различных применений ближнего инфракрасного фотодетектирования, является идеальным выбором для быстрой разработки и мелкосерийной сборки. Для более подробных кривых электрических характеристик, расположения выводов или типовых схем включения рекомендуется обратиться к официальному техническому описанию EVERLIGHT или к поставщику для получения полного описания.