WMSIC Электронные компоненты

ElecSuper IRF3205PBF-ES IRF3205PBF

МодельIRF3205PBF-ES
КорпусTO-252
БрендElec Super
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
ElecSuper IRF3205PBF-ES IRF3205PBF
Тип
ELECSUPER
Минимальная упаковка
2500 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
ELECSUPER
Модель
IRF3205PBF-ES
Шаг
1
Корпус
TO-252
Количество
1 N-канальный
Тип
N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.383g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0265818615
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
58.4W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
2500
Напряжение сток-исток (Vdss)
60V

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

IRF3205PBF-ES N-канальный MOSFET Обзор продукта
I. Позиционирование продукта и ключевые особенности
IRF3205PBF-ES — это N-канальный MOSFET с обогащенным каналом, выпущенный ElecSuper, специально разработанный для средне-мощных высокоплотных преобразователей мощности, с акцентом на три характеристики: «низкие потери проводимости + высокая токовая нагрузка + простота управления», подходит для коммутации мощности в промышленном контроле, потребительской электронике, системах питания и других областях, сочетая производительность и стоимость.
II. Анализ ключевых электрических параметров
1. Напряжение и токовая нагрузка
Напряжение пробоя сток-исток (Vdss) достигает 60 В, охватывает запас по напряжению для систем 12 В/24 В, может противостоять переходным перенапряжениям;
Непрерывный ток стока (Id) 58,6 А (при 25 °C), пиковый ток еще выше, удовлетворяет требованиям длительной работы мощных нагрузок (например, привод двигателя 50 А).
2. Низкое сопротивление во включенном состоянии — ключевое преимущество эффективности
Сопротивление во включенном состоянии (RDS(on)) определяет потери мощности:
При напряжении драйвера затвора (Vgs) = 10 В RDS(on) всего 7 мОм;
При Vgs = 4,5 В (низковольтный драйвер) RDS(on) также всего 8,5 мОм;
Проверка фактических потерь: при нагрузке 50 А потери составляют всего 50^2 × 7 мОм = 17,5 Вт, что значительно ниже, чем у аналогичных обычных MOSFET (обычно RDS(on) ≥ 10 мОм), что значительно снижает нагрузку на систему охлаждения.
3. Простота управления
Пороговое напряжение (Vgs(th)) = 1,6 В (при Id = 250 мкА), значительно ниже уровня управления распространенных MCU 3,3 В/5 В, не требует дополнительной схемы преобразования уровня, управляется напрямую;
Общий заряд затвора (Qg) = 77 нКл (при Vgs = 10 В), сочетает скорость переключения и мощность управления, избегая усложнения схемы драйвера из-за слишком большого Qg.
4. Емкости и характеристики переключения
Входная емкость (Ciss) = 2,876 нФ, проходная емкость (Crss) = 180 пФ, выходная емкость (Coss) = 201 пФ, параметры балансируют скорость переключения и EMI:
Малая Crss снижает задержку переключения, вызванную эффектом Миллера;
Умеренная Ciss уменьшает потери переключения, подходит для высокочастотных сценариев (например, DC-DC преобразователи).
III. Корпус и надежность
1. Корпус TO-252 (DPAK)
Поверхностный монтаж TO-252, компактные размеры (типично 6,5 мм × 5,0 мм × 2,3 мм), подходит для высокоплотной компоновки PCB; выводы корпуса обеспечивают отличный теплоотвод, можно дополнительно улучшить эффективность охлаждения за счет оптимизации медной фольги PCB (например, площадь ≥ 10 см²).
2. Широкий температурный диапазон
Рабочая температура от -55 °C до +150 °C, соответствует требованиям промышленного класса, стабильно работает в суровых условиях с чередованием высоких и низких температур (например, уличные источники питания, автомобильная электроника).
3. Рассеиваемая мощность
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) = 58,4 Вт (при 25 °C), что является высоким уровнем для корпуса TO-252, требует рационального теплоотвода (например, радиатора) для долговременной надежной работы.
IV. Типичные области применения
Параметры IRF3205PBF-ES подходят для следующих сценариев:
DC-DC преобразователи: мощные модули питания 12 В/24 В в 5 В/3,3 В (например, серверные блоки питания, драйверы светодиодов);
Привод двигателей: H-мостовые схемы драйверов малых двигателей постоянного тока, серводвигателей (например, электроинструменты, умный дом);
Системы управления батареями (BMS): коммутаторы заряда/разряда, схемы балансировки для электромобилей/накопителей энергии;
Коммутаторы нагрузки: управление включением/выключением мощных нагрузок (например, промышленное нагревательное оборудование, мощные светодиодные матрицы);
ИБП и инверторы: инверторные схемы источников бесперебойного питания, силовые ключи солнечных инверторов.
V. Итог преимуществ
По сравнению с аналогичными традиционными MOSFET (например, IRF3205), ключевые преимущества IRF3205PBF-ES:
Выше эффективность: низкое сопротивление во включенном состоянии снижает потери мощности, повышает эффективность преобразования системы;
Проще управление: низкое пороговое напряжение совместимо с управлением 3,3 В/5 В, не требует дополнительной схемы драйвера;
Выше надежность: широкий температурный диапазон + высокая токовая нагрузка, адаптация к суровым условиям;
Выше интеграция: малый корпус TO-252, подходит для высокоплотного дизайна PCB.
Этот продукт сочетает мощность, простоту управления и стоимость, являясь высокоэффективным выбором для средне-мощных преобразователей.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.