SS36B（FOSAN 富信）SMB封装 肖特基二极管 — 产品概述

一、产品简介

SS36B 是 FOSAN（富信）推出的一款功率肖特基整流二极管，SMB（DO-214AA）封装。主要电气参数：最大整流电流 3A，反向耐压 60V；典型正向压降 Vf ≈ 700mV（在 IF=3A 时）；最大反向漏电流 Ir ≈ 100μA（在 VR=60V 时）；允许工作结温范围 -65℃ 至 +150℃。该器件以低正向压降与快速开关特性为主要卖点，适用于中小功率整流和保护场合。

二、主要性能特点

• 低正向压降：在较高工作电流下仍维持约 0.7V 的正向压降，有助于降低导通损耗和发热。
• 低开关损耗与无显著反向恢复：肖特基结构使其在开关应用中效率更高。
• 宽工作温度范围：-65℃~+150℃，适应工业级或低温环境。
• SMB 封装：体积与散热兼顾，便于波峰/回流焊接与自动贴装。
• 反向漏电控制在 100μA 量级（60V），适合大多数电源与保护用途，但高温下漏电会上升，应注意热平衡设计。

三、典型应用场景

• 开关电源的输出整流与续流二极管（中功率 DC-DC）
• 反向极性保护与负载保护电路
• 车载电源、通信设备、工业电源模块的整流与保护（如需 AEC 认证请与厂家确认）
• 电池充放电保护、电源适配器、光伏旁路与保护电路

四、设计与热管理建议

• 板级散热：SMB 封装散热受限，建议在封装两侧和背面配备充足铜箔（散热岛），并根据实际功耗进行热仿真或测量。
• 损耗与降额：按工作电流和正向压降估算器件发热，必要时对额定电流进行温度降额。高结温下反向漏电与功耗上升，应留裕量。
• 焊接与可靠性：遵守厂家焊接曲线，避免超温或长时间回流；储存和回流前防潮处理。
• 电路布局：在高频开关电路中，靠近开关节点放置肖特基可减少寄生环路，必要时并联适当电容抑制尖峰。

五、选型与注意事项

• 若需更低正向压降或更高电压等级，可考虑其他型号或更高规格的肖特基器件；若对反向漏电敏感，应注意其随温度上升的特性并查阅完整数据表。
• 峰值浪涌电流（Ifsm）、结-焊点热阻（RθJA/RθJC）等参数因厂商批次及测试条件不同，在设计前请获取并参照 FOSAN 的完整数据手册与样板测试结果。

六、结语

SS36B（FOSAN）以其 3A/60V 的电气能力、SMB 的封装形式和较低的正向压降，适合中小功率整流与保护应用。在实际使用中，应重点考虑热管理与高温下漏电的影响，必要时依据厂家完整规格书进行仿真与样片验证，以保证长期可靠性与性能稳定。若需器件样品、器件参数表或封装尺寸图，请联系供应商或访问 FOSAN 官方资料获取详尽信息。