FOSAN MMBT2907A

MMBT2907A — PNP биполярный транзистор, SOT-23

MMBT2907A — маломощный PNP биполярный транзистор с изолированным затвором, выпускаемый FOSAN, в компактном корпусе SOT-23. Благодаря среднему напряжению, среднему току и высокочастотным характеристикам широко применяется в схемах усиления малых сигналов, ключевых схемах и портативных устройствах.

Основные параметры:
- Тип транзистора: PNP BJT, совместим с NPN-приборами (например, MMBT3904) для комплементарных схем.
- Постоянный ток коллектора (Ic): макс. 600 мА.
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): 60 В.
- Рассеиваемая мощность (Pd): 225 мВт.
- Обратный ток коллектора (Icbo): 50 нА (тип.).
- Напряжение пробоя эмиттер-база (Vebo): 5 В.
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): 100–300 (маркировка «2F»).
- Граничная частота (fT): 200 МГц.
- Рабочая температура: от -55 °C до +150 °C.

Корпус и маркировка:
- Корпус SOT-23 (ок. 2,9 × 1,6 × 1,0 мм), для поверхностного монтажа.
- Маркировка: «2F», соответствует hFE 100–300.

Особенности:
- Среднее напряжение и ток: Vceo 60 В, Ic 600 мА.
- Высокая частота: fT 200 МГц.
- Низкий ток утечки: Icbo 50 нА.
- Широкий диапазон температур: -55…+150 °C.
- Компактный корпус SOT-23.

Типовые применения:
- Усиление малых аудиосигналов (комплементарные схемы с MMBT3904).
- Высокочастотная обработка малых сигналов (промежуточная частота AM, генераторы).
- Маломощные ключевые схемы (светодиоды, преобразование уровней, малые реле).
- Обратная связь в источниках питания (DC-DC, линейные стабилизаторы).
- Портативные устройства (телефоны, MP3, фитнес-браслеты).

Указания по применению:
- Не превышать Vce 60 В, Veb 5 В.
- Рассеиваемая мощность не более 225 мВт; при высокой температуре снижать.
- Пайка: температура не выше 260 °C (оплавление), время не более 10 с.
- Антистатическая защита обязательна.