FOSAN SS8550

SS8550 (PNP) транзистор Обзор продукта
SS8550 — универсальный PNP маломощный транзистор, выпущенный известным отечественным производителем полупроводников FOSAN, благодаря миниатюрному корпусу, стабильным электрическим характеристикам и низкому потреблению широко применяется в портативных устройствах, маломощных усилительных и коммутационных схемах, является одним из часто используемых базовых приборов в электронном проектировании.
I. Основная информация о продукте
Основные обозначения SS8550 включают модель, диапазон усиления и детали корпуса:
Тип транзистора: PNP (ток течёт от эмиттера к коллектору);
Бренд и модель: FOSAN, модель SS8550, суффикс «Y2» соответствует диапазону коэффициента усиления по постоянному току (hFE) 200…350;
Корпус: поверхностный монтаж SOT-23, размеры около 2,9 мм × 1,6 мм × 1,1 мм, подходит для высокоплотной компоновки печатных плат;
Форма поставки: поштучная индивидуальная упаковка (при оптовой закупке возможна поставка в ленте).
II. Подробное описание основных электрических параметров
Электрические параметры SS8550 определяют область его применения, ключевые параметры делятся на предельные, характеристики постоянного тока и высокочастотные:
2.1 Предельные параметры (непреодолимые границы работы)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (VCEO): 20 В (максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при обрыве базы);
Напряжение пробоя эмиттер-база (VEBO): 5 В (максимальное напряжение между эмиттером и базой при обрыве коллектора);
Максимальный ток коллектора (IC): 1,5 A (максимальный ток коллектора при непрерывной работе, в импульсном режиме может быть несколько выше);
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 мВт (максимальная мощность при температуре окружающей среды 25 °C, при повышении температуры требуется снижение номинала).
2.2 Характеристики постоянного тока (статические рабочие характеристики)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): типичное значение 400 (условия измерения: IC = 100 мА, VCE = 1 В), фактическое значение немного колеблется в зависимости от тока, диапазон суффикса Y2 200…350;
Ток отсечки коллектора (ICBO): макс. 100 нА (ток утечки при обрыве эмиттера, малый ток утечки подходит для низкопотребляющих конструкций);
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): макс. 600 мВ (условия измерения: IC = 1500 мА, IB = 150 мА), низкое напряжение насыщения снижает потери переключения.
2.3 Высокочастотные характеристики
Граничная частота (fT): 120 МГц (частота, при которой коэффициент усиления по току падает до 1, определяет способность к усилению в низкочастотном и среднем диапазоне, не подходит для высокочастотных радиочастотных применений).
III. Корпус и типовые применения
Корпус SOT-23 и электрические параметры SS8550 позволяют использовать его в различных случаях:
3.1 Маломощные усилительные схемы
Усиление аудиосигнала: драйвер наушников, предварительный усилитель малых колонок (использование высокого hFE для усиления сигнала);
Обработка сигналов датчиков: усиление слабых сигналов температурных, тензометрических датчиков (низкий ток утечки обеспечивает точность сигнала).
3.2 Коммутационные схемы
Драйвер светодиодных индикаторов: маломощные светодиоды (