WMSIC Электронные компоненты

HXY MOSFET HESDNC24VB1AF-A

МодельHESDNC24VB1AF-A
КорпусDFN1006-2L
БрендHXY MOSFET
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
HXY MOSFET HESDNC24VB1AF-A
Тип
HXY MOSFET
Минимальная упаковка
10000 编带

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
HXY MOSFET
Модель
HESDNC24VB1AF-A
Шаг
1
Корпус
DFN1006-2L
Полярность
Двунаправленный
Тип
ESD
Категория
Защита от электростатики и импульсных перенапряжений (TVS/ESD)
Вес
0.03g
Минимальный заказ
1
Количество каналов
Один канал
Емкость перехода (Cj)
15pF
Артикул
BM0258662183
Рабочая температура
40℃~+125℃
Напряжение фиксации
60V
Степень защиты
IEC 61000-4-2

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

HESDNC24VB1AF-A Обзор продукта устройства защиты от ESD
I. Позиционирование продукта и ключевая ценность
HESDNC24VB1AF-A — это одноканальное двунаправленное устройство защиты от ESD, выпущенное компанией HXY MOSFET, специально разработанное для защиты от электростатического разряда (ESD) и переходных импульсных помех в электронных схемах. Ключевая ценность заключается в обеспечении эффективной защиты при сохранении низкой паразитной емкости, подходящей для высокоскоростной передачи сигналов, а также в широком температурном диапазоне и сверхмалом корпусе, что позволяет удовлетворить потребности в защите в потребительской электронике, промышленном управлении, автомобильной электронике и других областях.
II. Детальный анализ ключевых электрических параметров
Параметры прибора точно оптимизированы для реальных сценариев, значение ключевых показателей следующее:
2.1 Показатели защитных характеристик
Уровень защиты: IEC 61000-4-2: полностью соответствует международному стандарту электростатического разряда, способен противостоять распространенным ESD-воздействиям, таким как контакт человека (HBM), разряд машины (MM), предотвращая повреждение чувствительных компонентов;
Двунаправленная полярность: не требует дополнительного согласования обратного прибора, обеспечивает защиту от переходных импульсов как положительной, так и отрицательной полярности, упрощая проектирование схемы;
Напряжение ограничения 60 В: при появлении переходного импульса быстро открывается, ограничивая напряжение между выводами до 60 В (намного ниже предельного напряжения большинства ИС 10~20 В), обеспечивая безопасность последующей схемы;
Пиковая импульсная способность: пиковый ток (Ipp) 5 А, пиковая мощность (Ppp) 300 Вт (форма волны 8/20 мкс), выдерживает типичную энергию перенапряжения (например, переходные процессы питания, электростатический разряд).
2.2 Статические и высокочастотные характеристики
Обратное напряжение отсечки (Vrwm) 24 В: стабильная работа при обратном постоянном напряжении 24 В, без заметного тока утечки, не влияет на нормальную работу схемы;
Обратный ток утечки (Ir) 100 нА: чрезвычайно низкий ток утечки снижает потребление в режиме ожидания, подходит для маломощных устройств;
Емкость перехода (Cj) 15 пФ: одно из ключевых преимуществ, подходит для высокоскоростных сигналов выше 1 Гбит/с (например, USB 3.0, HDMI), предотвращает искажение или задержку сигнала.
2.3 Параметры надежности
Напряжение пробоя 29,5 В: напряжение пробоя при испытательном токе 1 мА, обеспечивает точное срабатывание порога защиты, не влияя на нормальную работу схемы;
Рабочая температура от -40 °C до +125 °C: широкотемпературное исполнение подходит для экстремальных температурных условий промышленного и автомобильного применения.
III. Характеристики корпуса и адаптация к окружающей среде
Используется сверхмалый корпус DFN1006-2L, обладающий тремя преимуществами:
Компактные размеры: примерно 1,0 мм × 0,6 мм × 0,5 мм, значительно экономит пространство печатной платы, подходит для плотных схем смартфонов, носимых устройств и т.д.;
Экологичность: без свинца и галогенов, соответствует стандарту RoHS, отвечает требованиям международного рынка;
Эффективное рассеивание тепла: низкое тепловое сопротивление корпуса DFN позволяет быстро рассеивать тепло переходных импульсов, продлевая срок службы прибора.
IV. Типовые области применения
Характеристики прибора охватывают множество областей:
Потребительская электроника: защита интерфейсов USB/аудио/HDMI телефонов, планшетов, предотвращение повреждения ИС материнской платы статикой;
Промышленное управление: защита промышленных датчиков, интерфейсов связи ПЛК (RS485/CAN), работа в широком температурном диапазоне от -40 °C до +125 °C;
Автомобильная электроника: защита бортовых информационных систем, датчиков ADAS, зарядных интерфейсов, соответствие автомобильному уровню надежности;
Коммуникационное оборудование: защита высокоскоростных интерфейсов Ethernet/радиочастотных интерфейсов маршрутизаторов, базовых станций, низкая емкость подходит для высокоскоростных сигналов.
V. Бренд и гарантия качества
HXY MOSFET — отечественный профессиональный производитель силовых и защитных приборов. HESDNC24VB1AF-A прошел строгие испытания, включая термоциклирование, влажностное старение, ESD-воздействие, соответствует отраслевым стандартам и может обеспечить долгосрочную стабильную защиту продукции клиентов.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.