WMSIC Электронные компоненты

HXY MOSFET BZX84C12

МодельBZX84C12
КорпусSOT-23
БрендHXY MOSFET
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration Date code within 2 years

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
HXY MOSFET BZX84C12
Тип
HXY MOSFET
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
HXY MOSFET
Модель
BZX84C12
Шаг
1
Корпус
SOT-23
Категория
стабилитрон
Вес
0.032g
Минимальный заказ
1
Импеданс (Zzt)
25Ω
Артикул
BM0227249421
Конфигурация диода
1 независимый
Обратный ток (Ir)
100nA@8V
Рассеиваемая мощность (Pd)
300mW
Напряжение стабилизации (диапазон)
11.4V~12.7V
Диапазон рабочей температуры перехода
40℃~+125℃
Минимальная упаковочная единица
Диск

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

BZX84C12 Обзор модели — 12 В дискретный стабилитрон (SOT-23)
I. Введение в продукт
BZX84C12 — это дискретный стабилитрон, предоставляемый HXY MOSFET, с номинальным напряжением стабилизации 12 В (допустимый диапазон 11,4 В…12,7 В), в малом корпусе SOT-23. Прибор оптимизирован для применений с ограниченным пространством и низким потреблением, подходит для использования в качестве источника опорного напряжения, ограничителя перенапряжений и подавления шума питания.
II. Основные электрические параметры
Номинальное напряжение стабилизации (Vz): 12 В (диапазон 11,4 В…12,7 В)
Обратный ток (Ir): 100 нА @ 8 В (низкий ток утечки, подходит для низкопотребляющих сценариев)
Рассеиваемая мощность (Pd): 300 мВт (максимальная допустимая рассеиваемая мощность при хорошем отводе тепла)
Импеданс (Zzt): 25 Ом (низкий динамический импеданс, благоприятен для стабилизации)
Конфигурация диода: дискретный (работа одного прибора)
Корпус: SOT-23 (поверхностный монтаж, миниатюрный)
III. Характеристики и преимущества
Низкая обратная утечка: при 8 В обратный ток составляет всего 100 нА, что позволяет использовать прибор в системах с батарейным питанием и низким током ожидания, снижая статическое потребление.
Хорошие характеристики стабилизации: динамический импеданс 25 Ом позволяет поддерживать достаточно стабильное выходное напряжение при типичном рабочем токе, подходит для простого опорного источника или локальной стабилизации.
Малый корпус: SOT-23 удобен для автоматического монтажа и высокоплотной компоновки PCB, подходит для портативных устройств и встраиваемых применений.
Гарантия бренда: производится HXY MOSFET, сочетает стоимость и контроль качества, подходит для массового производства.
IV. Типичные области применения
Опорное напряжение или микропотребляющий опорный источник для низкопотребляющих приборов и портативных устройств.
Ограничение перенапряжений и импульсная защита модулей микроконтроллеров, датчиков и т. д.
Простая стабилизация и компенсация после делителя напряжения (использование с токоограничивающим резистором в качестве параллельного стабилизатора).
Защитные элементы цепей контроля питания, коммуникационных терминалов и потребительской электроники.
V. Рекомендации по использованию и меры предосторожности
Учет мощности: максимальная рассеиваемая мощность прибора 300 мВт; теоретически при стабилизации 12 В предельный допустимый ток составляет около 25 мА (Imax ≈ Pd / Vz), но на практике следует учитывать температуру окружающей среды и условия отвода тепла PCB; рекомендуется оставлять запас и снижать нагрузку по кривым тепловых характеристик производителя.
Ограничение тока: при использовании в качестве параллельного стабилизатора необходимо ограничивать ток через стабилитрон последовательным токоограничивающим резистором или источником постоянного тока, чтобы избежать перегрева или пробоя.
Управление теплом: корпус SOT-23 имеет относительно высокое тепловое сопротивление; при длительной работе с большим током необходимо оптимизировать отвод тепла медной поверхностью или использовать теплоотводящую конструкцию.
Правила пайки: соблюдайте обычный температурный профиль SMD пайки оплавлением, не превышайте пиковую температуру и время пайки, чтобы предотвратить повреждение корпуса или внутренней структуры.
ESD и защита от перенапряжений: хотя стабилитрон может поглощать определенную импульсную энергию, в случаях высокоэнергетических выбросов рекомендуется использовать совместно с супрессором (TVS) или токоограничивающей схемой.
VI. Корпус и внешний вид
Малый трехвыводной корпус SOT-23 удобен для автоматизированного производства и высокоплотной компоновки. Рекомендуется обращаться к чертежам корпуса и рекомендуемым размерам контактных площадок PCB, предоставленным HXY MOSFET, для обеспечения хорошей пайки и тепловых характеристик.
VII. Резюме
BZX84C12 (HXY MOSFET, SOT-23) — это стабилитрон 12 В, ориентированный на низкопотребляющие и малогабаритные применения, с низкой утечкой, разумным динамическим импедансом и корпусом, удобным для массового производства. Подходит для потребительской электроники, портативных устройств и вспомогательных защитных цепей питания с повышенными требованиями к стоимости, объему и потреблению. При проектировании необходимо учитывать управление мощностью и теплом, разумно выбирать рабочий ток и меры токоограничения для обеспечения долговременной надежности.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.