WMSIC Электронные компоненты

HXY MOSFET BAV99S

МодельBAV99S
КорпусSOT-363
БрендHXY MOSFET
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 24+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
HXY MOSFET BAV99S
Тип
HXY MOSFET
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
HXY MOSFET
Модель
BAV99S
Шаг
1
Корпус
SOT-363
Категория
Переключающий диод
Вес
0.031g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0227239691
Выпрямительный ток
150mA
Конфигурация диода
2 пары последовательного включения
Обратный ток (Ir)
1uA
Прямое падение напряжения (Vf)
1.25V@150mA
Рассеиваемая мощность (Pd)
200mW
Диапазон рабочей температуры перехода
40℃~+150℃
Минимальная упаковочная единица
Диск

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

BAV99S Обзор продукта
I. Введение в продукт
BAV99S — это сдвоенный последовательный переключательный диод (2 пары последовательного включения), корпус SOT-363. Прибор оптимизирован для высокоскоростного переключения и выпрямления малых сигналов, имеет малый размер и быстрое быстродействие, подходит для поверхностного монтажа (SMT) и конструкций печатных плат высокой плотности. Типовые применения включают формирование сигналов, защиту фиксацией, преобразование уровней в смешанных сигнальных схемах и высокочастотное выпрямление малых токов.
II. Основные характеристики
Конфигурация диодов: сдвоенный диод, 2 пары последовательного включения (каждая пара последовательная, в корпусе SOT-363 содержится две пары).
Прямое падение напряжения: Vf = 1.25 V @ 150 mA (типовое значение, при проектировании следует оставлять запас).
Постоянное обратное напряжение: Vr = 85 V.
Прямой выпрямительный ток: IF = 150 mA (непрерывный постоянный).
Пиковый импульсный ток: Ifsm = 2.5 A (неповторяющийся, кратковременный импульс).
Рассеиваемая мощность: Pd = 200 mW (ограничение по теплу корпуса, необходимо снижать в зависимости от температуры окружающей среды).
Обратный ток: Ir ≈ 1 μA (типовое значение при номинальном Vr, увеличивается с ростом температуры).
Время обратного восстановления: Trr = 6 ns, подходит для высокочастотного переключения и быстрых импульсных применений.
Диапазон рабочей температуры перехода: -40 ℃ ~ +150 ℃.
III. Типовые применения
Защитные и фиксирующие схемы в высокоскоростных переключательных и смешанных логических интерфейсах.
Высокочастотное маломощное выпрямление и восстанавливающее выпрямление.
Защита радиочастотного фронтенда и вторичные цепи стабилизации.
В качестве фиксирующих/связывающих элементов в портативных устройствах с ограничением мощности, интерфейсах датчиков и коммуникационных модулях.
IV. Ключевые электрические параметры и рекомендации по проектированию
Прямое падение напряжения при высоком токе (150 mA) может достигать ~1.25 V; если схема чувствительна к падению напряжения, следует рассмотреть параллельное включение или выбрать прибор с меньшим Vf.
Непрерывный рабочий ток не должен превышать 150 mA, и необходимо учитывать снижение номинала по температуре с учетом теплоотвода PCB; Pd составляет 200 mW, фактическая допустимая мощность значительно изменяется в зависимости от площади контактных площадок и нагрева платы.
Обратное напряжение 85 V подходит для сценариев защиты среднего и низкого напряжения; при высокой температуре обратный ток утечки возрастает, необходимо оставлять запас.
Время обратного восстановления всего 6 ns подходит для высокоскоростного переключения, но в очень высокочастотных или строго низкопотерьных сценариях все еще необходимо оценивать потери переключения и паразитные параметры.
Пиковый импульсный ток Ifsm — это кратковременная способность выдерживать импульс, его нельзя использовать как условие длительной перегрузки.
V. Рекомендации по корпусу и тепловому управлению
Корпус SOT-363 малого размера, способность контактных площадок и медной фольги к теплоотводу ограничена. Рекомендуется:
Увеличить площадь медной фольги под контактными площадками и вокруг них для улучшения теплоотвода.
При высокой температуре окружающей среды или непрерывной работе с относительно большим током проводить тепловое моделирование или измерения, при необходимости снижать номинальный рабочий ток.
Соблюдать профиль оплавления при пайке, избегать слишком высокой температуры и длительного воздействия для защиты надежности прибора.
VI. Выбор и меры предосторожности при использовании
Если схеме требуется более низкое прямое падение напряжения или большая мощность, следует выбрать корпус большего размера или параллельное решение и оценить проблему распределения тока.
В условиях высокой температуры обращать внимание на рост тока утечки, изменение прямого падения напряжения и снижение Pd.
Для высокочастотных высокоскоростных применений учитывать паразитную емкость и индуктивность трассировки PCB, чтобы обеспечить реализацию характеристик восстановления.
При покупке убедиться в соответствии модели и параметров поставщика; BAV99S удовлетворяет распространенным требованиям малосигнального высокоскоростного переключения и защиты.
При необходимости подробных электрических таблиц, типовых характеристических кривых или рекомендуемых схем можно предоставить конкретный сценарий применения для дальнейшего дополнения.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.