HXY MOSFET 13001

13001 Обзор продукта
I. Введение
13001 — высоковольтный малосигнальный NPN биполярный транзистор, выпускаемый HXY MOSFET, в корпусе SOT-23, предназначенный для коммутационных и усилительных применений, требующих высокого блокирующего напряжения и средней токовой способности. Малые размеры и низкая стоимость делают его подходящим для использования в схемах с ограниченным пространством и необходимостью выдерживать повышенное напряжение коллектора.
II. Основные параметры
Тип транзистора: NPN (BJT)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 450 В
Ток коллектора Ic (макс.): 200 мА
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 18 при Ic=20 мА, Vce=20 В
Граничная частота fT: 8 МГц (средняя частотная характеристика)
Обратный ток коллектора Icbo: 100 мкА (значение утечки при высоком напряжении)
Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт (корпус SOT-23)
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 7 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): около 400 мВ (при типовых условиях измерения)
III. Особенности
Высоковольтная стойкость: Vceo 450 В делает его пригодным для высоковольтных импульсных и изолированных коммутационных применений в источниках питания.
Среднее усиление и частота: hFE около 18, fT 8 МГц, подходит для низкочастотного усиления и обычной коммутации, не подходит для высокочастотных радиочастотных применений.
Малогабаритный корпус: SOT-23 удобен для массовой сборки и применений с ограниченным пространством, но ограничивает способность рассеивания тепла.
Контроль утечки: Icbo при высоком напряжении остаётся на уровне мкА, что способствует контролю статического энергопотребления, но при высокой температуре необходимо учитывать рост утечки.
IV. Типичные применения
Высоковольтный коммутационный элемент в цепях вторичной стороны импульсных источников питания и схемах защиты;
Схемы управления батареями и обнаружения питания;
Высоковольтные импульсные драйверы, драйверы реле и маломощные повышающие схемы;
Общие низкочастотные усилительные и сигнальные схемы (не радиочастотные).
V. Корпус и тепловой режим
Корпус SOT-23 удобен для поверхностного монтажа, но Pd=300 мВт ограничивает способность непрерывного вывода мощности. Рекомендуется использовать увеличенную медную площадку для отвода тепла, сокращать тепловой путь и по возможности применять импульсный режим или низкую скважность; при непрерывной проводимости необходимо обеспечить безопасный запас между температурой перехода и температурой окружающей среды.
VI. Рекомендации по выбору и применению
При управлении базой следует использовать подходящий базовый резистор и оценивать необходимый ток базы по hFE (например, при токе коллектора 20 мА hFE≈18);
Избегайте превышения Vebo (7 В) на переходе база-эмиттер для предотвращения обратного пробоя базы;
В высоковольтных применениях учитывайте влияние Icbo и утечки при повышении температуры, при необходимости используйте параллельное включение или замену на более мощный прибор;
При проектировании учитывайте VCE(sat) и рассеиваемую мощность, оставляйте достаточный запас для продления срока службы прибора.
В целом, 13001 подходит для применений с высокими требованиями к напряжению, средней мощностью и чувствительностью к стоимости. При использовании следует уделять внимание тепловому режиму и согласованию драйвера, чтобы реализовать преимущества высоковольтного малосигнального транзистора.