HXY MOSFET ZMM8V2

ZMM8V2 стабилитрон Обзор продукта
I. Введение
ZMM8V2 — независимый стабилитрон (диод Зенера) с номинальным напряжением стабилизации 8.2V, предназначенный для маломощных прецизионных опорных источников и поглощения выбросов. Прибор производится HXY MOSFET, корпус LL-34 осевой стеклянный, компактный и надёжный, удобен для монтажа в отверстия и интеграции с ручной или волновой пайкой.
II. Основные электрические параметры и особенности
- Напряжение стабилизации (номинальное): 8.2V
- Допустимый диапазон напряжения стабилизации: 7.7V…8.7V, удовлетворяет применениям опорного источника с обычными допусками
- Обратный ток утечки Ir: 100nA @ 6.2V, низкая утечка, подходит для высокоомных измерений и маломощных цепей
- Рассеиваемая мощность Pd: 500mW, подходит для стабилизации и ограничения малой и средней мощности (необходимо учитывать теплоотвод и ограничение мощности)
- Динамическое сопротивление Zzt: 7Ω (при заданном испытательном токе), низкое динамическое сопротивление способствует точности стабилизации
- Сопротивление в точке перегиба Zzk: 50Ω (в условиях области перегиба), отражает характеристики стабилизации в области малых токов
Эти параметры показывают, что ZMM8V2 обеспечивает достаточно стабильное опорное напряжение в среднем диапазоне токов и сохраняет малую утечку при малых токах.
III. Корпус и механические характеристики
- Корпус: LL-34 (осевой стеклянный корпус)
- Особенности: устойчивость к загрязнению окружающей среды, выводы поддаются пайке, подходит для монтажа в отверстия на PCB и прототипирования. Стеклянный корпус также облегчает визуальный контроль качества пайки и внешний осмотр.
IV. Типичные области применения и рекомендации по схемам
Применения:
- маломощные опорные источники и опорное напряжение
- защита от перенапряжения и ограничение переходных процессов
- стабильный источник для фронтендов приборов и датчиков
- цепи смещения малосигнальных усилителей
Рекомендации:
- при использовании в качестве параллельного стабилизатора рассчитать токоограничивающий резистор R = (Vin - Vz) / (Iz + Iload) и обеспечить, чтобы в наихудших условиях стационарная рассеиваемая мощность Pd ≤ 500mW. Например, при Vin = 12V, Vz ≈ 8.2V, желаемом Iz = 5mA, R ≈ 760Ω.
- при высокой температуре или большом токе следует выполнять снижение мощности и оценку теплоотвода, избегая длительной работы вблизи предельного Pd.
V. Надёжность и меры предосторожности
- Из-за стеклянного корпуса при пайке соблюдать температурный профиль и ограничения по времени производителя, избегая перегрева, приводящего к трещинам корпуса или деградации характеристик.
- Длительная работа в точке высокой мощности снижает надёжность; следует поддерживать безопасный запас и учитывать тепловой режим.
- В области малых токов (вблизи перегиба пробоя) напряжение может зависеть от температуры и условий; в критичных опорных применениях рекомендуется температурная компенсация или стабилизация рабочего тока.
VI. Выбор и закупка
При выборе обращать внимание на максимальный рабочий ток, температуру окружающей среды и требования к точности стабилизации. ZMM8V2 от HXY MOSFET обеспечивает хороший баланс между стоимостью и характеристиками, подходит для вспомогательной стабилизации в универсальной электронике, малой бытовой технике, измерительных и коммуникационных терминалах. При закупке уточнять упаковку, партию и условия испытаний для обеспечения согласованности.