WMSIC Электронные компоненты

HXY MOSFET SI2323

МодельSI2323
КорпусSOT-23
БрендHXY MOSFET
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
HXY MOSFET SI2323
Тип
HXY MOSFET
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
HXY MOSFET
Модель
SI2323
Шаг
1
Корпус
SOT-23
Количество
1 P-канал
Тип
P-канал
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Конфигурация
Независимый
Вес
0.032g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0230136984
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
1.31W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
3000

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

SI2323 Обзор продукта
I. Введение
SI2323 — это P-канальный полевой транзистор, предназначенный для портативных устройств и управления питанием, выпускаемый HXY MOSFET. Устройство в малом корпусе SOT-23 обеспечивает низкое сопротивление во включённом состоянии и выдерживает напряжение до 20 В, подходит для применения в качестве высокоомного ключа, коммутации нагрузки и защиты от обратного подключения.
II. Основные электрические параметры
Полярность: P-канальный MOSFET
Напряжение сток-исток |Vdss|: 20 В
Непрерывный ток стока Id: 5 А
Сопротивление во включённом состоянии RDS(on): 45 мОм при |Vgs|=4,5 В (ток испытания около 4,9 А)
Рассеиваемая мощность Pd: 1,31 Вт (зависит от тепловых возможностей корпуса, требует пересчёта по условиям охлаждения на печатной плате)
Пороговое напряжение Vgs(th): ≈ -0,4 В (типовое, измерено при I_D=250 мкА)
Общий заряд затвора Qg: 14,3 нКл при |Vgs|=4,5 В
Входная ёмкость Ciss: 1,2 нФ при 15 В
Обратная передаточная ёмкость Crss: 151 пФ при 15 В
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C
Корпус: SOT-23
Бренд: HXY MOSFET
III. Особенности и преимущества
Низкое RDS(on): 45 мОм при среднем напряжении затвора обеспечивает низкие потери проводимости, подходит для нагрузок 1–5 А.
Низкий порог: Vgs(th) ≈ -0,4 В, что облегчает включение при ограниченном запасе напряжения затвора.
Умеренный заряд затвора: Qg=14,3 нКл, потери переключения и энергия управления находятся в контролируемом диапазоне, подходит для прямого управления от MCU или простого драйвера (учитывайте ток управления и скорость переключения).
Малый корпус: SOT-23 способствует компоновке на плате с ограниченным пространством и снижению стоимости.
IV. Области применения
Высокоомные ключи нагрузки и распределение питания в системах с батарейным или USB-питанием
Управление питанием и энергосбережение портативных устройств
Защита от обратного подключения/обратного тока (в сочетании с соответствующей схемой)
Синхронные или обходные ключи в маломощных DC-DC решениях
Общие коммутационные применения: подсветка, предусилитель двигателя, управление реле и т.д.
V. Типовое использование и меры предосторожности
Полярность и управление: это P-канальный прибор, напряжение затвор-исток отрицательное относительно истока (обычно для включения затвор подтягивают к низкому уровню). Параметр RDS(on) обычно измеряется при |Vgs|=4,5 В; убедитесь, что управление обеспечивает достаточное напряжение затвора для снижения потерь проводимости.
Потери переключения: Qg=14,3 нКл, Ciss и Crss влияют на скорость и потери переключения; для быстрого переключения необходимо учитывать возможности драйвера и последовательное сопротивление затвора для подавления звона. При большой Crss (ёмкость Миллера) необходимо предотвращать случайное срабатывание или задержку в процессе переключения.
Тепловой режим: Pd=1,31 Вт для корпуса SOT-23 указана для идеальных условий; в реальном применении требуется достаточная площадь медной фольги на печатной плате для отвода тепла и снижение тока при высокой температуре.
Выводы и корпус: типичная цоколёвка SOT-23: 1-З, 2-С, 3-И (у разных производителей возможны отличия); в конечном проекте руководствуйтесь чертежом корпуса и механическими размерами производителя.
ESD и чувствительность к статике: при пайке и ручных операциях соблюдайте меры защиты от статического электричества, чтобы не повредить затвор.
VI. Рекомендации по проектированию
При больших токах увеличивайте медную фольгу на печатной плате, выполняйте тепловые переходные отверстия или заливку меди на нижнем слое.
При прямом управлении от MCU рекомендуется последовательный резистор 10–100 Ом в цепи затвора для ограничения переходного тока и сглаживания колебаний, а также подходящий ограничитель или RC-демпфер между затвором и истоком для предотвращения выбросов.
При использовании в качестве высокоомного ключа можно применять схему драйвера затвора или резистивный делитель для надёжного включения/выключения.
Итог: SI2323 в малом корпусе SOT-23 с низким сопротивлением во включённом состоянии, умеренным зарядом затвора и напряжением 20 В обеспечивает хорошее соотношение цена-качество для портативного питания и коммутации. При проектировании обращайте внимание на напряжение управления, тепловой режим и поведение при переключении, чтобы раскрыть лучшие характеристики прибора.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.