HXY MOSFET ZMM2V0

ZMM2V0 — HXY MOSFET 2,0 В стабилитрон Обзор продукта
I. Обзор продукта
ZMM2V0 — самостоятельный стабилитрон, выпускаемый HXY MOSFET, номинальное напряжение стабилизации 2,0 В, диапазон допуска 1,8 В~2,15 В. Прибор выпускается в малом самостоятельном корпусе LL-34, предназначен для применений с ограниченным пространством и требованиями к стабильности низковольтного опорного или защитного напряжения. Ключевые параметры: обратный ток утечки Ir = 100 мкА при 1 В, рассеиваемая мощность Pd = 500 мВт, динамическое сопротивление Zzt = 85 Ом, Zzk = 600 Ом.
II. Основные технические параметры
Тип: самостоятельный стабилитрон (Zener)
Номинальное напряжение стабилизации: 2,0 В
Диапазон стабилизации: 1,8 В ~ 2,15 В
Обратный ток Ir: 100 мкА при 1 В (показатель утечки при низком напряжении)
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 500 мВт (ограничение мощности прибора в рекомендуемых рабочих условиях)
Динамическое сопротивление: Zzt = 85 Ом (малосигнальное сопротивление вблизи тестового тока), Zzk = 600 Ом (сопротивление в области низкоточного изгиба)
Корпус: LL-34 (малый самостоятельный корпус)
Бренд: HXY MOSFET
III. Ключевые особенности и преимущества
Низковольтный опорный элемент: низкое напряжение стабилизации 2,0 В подходит для низковольтных опорных, стабилизационных смещений и т.д.
Контролируемая утечка: при 1 В Ir = 100 мкА, показывает уровень утечки при низковольтном управлении или в режиме ожидания.
Надёжная мощность: способность рассеивать 500 мВт, подходит для маломощной стабилизации и поглощения переходных процессов.
Характеристики динамического сопротивления: Zzt относительно низкое (85 Ом), обеспечивает относительно стабильную работу стабилизации вблизи заданного тестового тока; Zzk высокое (600 Ом), указывает на заметное изменение напряжения-тока в области очень малых токов, необходимо учитывать рабочую точку.
IV. Типичные области применения
Низковольтные источники опорного напряжения и эталоны (например, опорное напряжение АЦП, смещение компаратора)
Защита или ограничение низкого напряжения в схемах (предотвращение превышения входных выбросов)
Маломощные модули стабилизации, цепи смещения и входные каскады датчиков
Локальная стабилизация напряжения в устройствах с режимом ожидания/низким энергопотреблением
V. Рекомендации по электрическому и тепловому режиму
Ограничение мощности: максимальная рассеиваемая мощность 500 мВт, при проектировании необходимо рассчитать рассеиваемую мощность в зависимости от напряжения стабилизации и рабочего тока (Pd = Vz × Iz + Iz × Ir ≈ V × I) и оставить запас безопасности. Фактически допустимый ток изменяется с температурой окружающей среды и условиями теплоотвода, следует избегать длительной работы вблизи номинального Pd.
Влияние динамического сопротивления: в случаях, требующих высокой точности стабилизации, следует выбирать работу вблизи тестового тока, указанного для Zzt, чтобы уменьшить погрешность, вызванную изменением напряжения при изменении тока. При работе в области очень малых токов из-за влияния Zzk напряжение будет значительно колебаться.
Тепловой режим: LL-34 — малый корпус с ограниченной способностью к теплоотводу. Рекомендуется увеличить площадь медной фольги на PCB или использовать теплоотводящую площадку для снижения температуры перехода, особенно при повышенной температуре окружающей среды или поглощении импульсной мощности.
VI. Указания по PCB и корпусу
Малый размер корпуса подходит для ограниченной компоновки, но при пайке избегайте перегрева. При использовании стандартного процесса оплавления обращайтесь к температурному профилю производителя.
Рекомендуется оставить достаточную медную площадь для теплоотвода рядом со стабилитроном, избегать плотного соседства с источниками тепла.
Для защиты от внешних помех и стабильности можно параллельно входу диода подключить подходящий фильтрующий конденсатор или последовательно токоограничивающий резистор.
VII. Рекомендации по выбору и использованию
Если требуется меньший дрейф напряжения и меньшее динамическое сопротивление, следует оценить необходимость более высокого класса мощности или другой модели стабилитрона.
При проектировании в зависимости от фактического рабочего тока ориентируйтесь на тестовую точку Zzt, чтобы напряжение стабилизации колебалось в допустимых пределах.
Для прецизионных опорных применений рекомендуется использовать термокомпенсацию или специализированный низкошумовой источник опорного напряжения; ZMM2V0 больше подходит для общего стабилизации и защиты.
VIII. Хранение и надёжность
Рекомендуется хранить в соответствии с обычными нормами для электронных компонентов, избегая влажности, высокой температуры и агрессивных сред. При длительном хранении сохраняйте оригинальную упаковку, избегайте увлажнения.
На этапе серийного производства и проверки надёжности следует проводить отбор по электрическим параметрам и испытания на старение для подтверждения долговременной стабильности в целевых рабочих условиях.
Для получения полных кривых электрических характеристик, чертежей размеров корпуса или данных по технологии пайки можно связаться с HXY MOSFET или предоставить конкретные условия применения, мы поможем с более подробными рекомендациями по выбору и использованию.