HXY MOSFET BCP53

BCP53 — PNP-транзистор

BCP53 — PNP-биполярный транзистор для коммутации средней мощности и усиления малых сигналов. Номинальный ток коллектора 1A, максимальное напряжение коллектор-эмиттер 80V, максимальная рассеиваемая мощность 1.5W. Корпус SOT-223. Рабочая температура: -55℃–+150℃.

Основные параметры:
Тип: PNP
Максимальный ток коллектора Ic: 1A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 80V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 1.5W (с учетом условий охлаждения)
Коэффициент передачи тока hFE: 250 @ Ic = 150mA, VCE = 2V
Граничная частота fT: 100MHz
Ток отсечки коллектора Icbo: 100nA (тип.)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): около 500mV (тип.)
Рабочая температура: -55℃–+150℃

Корпус SOT-223 подходит для поверхностного монтажа. Для отвода тепла используйте медные полигоны и тепловые переходные отверстия на плате; при высокой температуре окружающей среды и длительной работе с большим током учитывайте снижение допустимой мощности.

Типичные области применения: ключ верхнего плеча, драйвер малых реле, оптопар или силовых MOSFET, предварительный каскад усилителя, усиление сигналов средней частоты и схемы смещения.

Для работы в ключевом режиме обеспечьте достаточный базовый ток; эффективный β в насыщении обычно ниже статического hFE. При расчете можно использовать принудительный β в диапазоне 10–20 и проверить результат экспериментально. Для индуктивных нагрузок, например реле и катушек, предусмотрите параллельный защитный элемент, например диод или RC-цепь. Учитывайте тепловую стабильность и температуру перехода, особенно при работе вблизи Pd.