Infineon BSS314PEH6327XTSA1

Обзор: BSS314PEH6327XTSA1

Основные сведения
BSS314PEH6327XTSA1 — P-канальный MOSFET производства Infineon. Применяется в импульсных источниках питания и системах управления питанием. Корпус SOT-23-3 предназначен для поверхностного монтажа.

Технические характеристики
Тип и технология FET: P-канальный MOSFET на основе технологии металл-оксид-полупроводник.
Напряжение и ток: напряжение сток-исток (Vdss) — до 30V; непрерывный ток стока (Id) при 25°C — до 1.5A.
Управляющее напряжение: типовые условия применения — 4.5V и 10V. Максимальное сопротивление во включённом состоянии (Rds On) — 140 миллиом при указанных значениях Id и Vgs.
Пороговое напряжение и заряд затвора: максимальное пороговое напряжение (Vgs(th)) — 2V; максимальный заряд затвора (Qg) при 10V — 2.9nC.
Электрические характеристики: максимальная входная ёмкость (Ciss) — 294pF при Vds 15V.
Условия эксплуатации: рабочая температура — от -55°C до 150°C.
Рассеиваемая мощность: до 500mW при температуре окружающей среды.

Области применения
Управление питанием: импульсные источники питания (SMPS), линейные стабилизаторы.
Электронные ключи: драйверы LED, управление нагрузкой и переключение сигналов.
Бытовая электроника: персональные компьютеры, мобильные телефоны и бытовая техника.
Автомобильная электроника: управление электрическими сиденьями, окнами и переключение автомобильных фар.

BSS314PEH6327XTSA1 — P-канальный MOSFET с напряжением сток-исток 30V, непрерывным током стока 1.5A и рабочей температурой от -55°C до 150°C.