Infineon BSS7728N H6327 BSS7728N

BSS7728N H6327 — 60-вольтовый N-канальный MOSFET Infineon

Общее описание
BSS7728N H6327 — маломощный N-канальный MOSFET с индуцированным каналом производства Infineon в корпусе SOT-23-3. Предназначен для портативных и потребительских электронных устройств, где требуются умеренный ток, достаточное напряжение пробоя и приемлемая скорость переключения. Типичные применения: управление ключами, изоляция нагрузки и преобразование уровней.

Основные параметры и характеристики
Полярность: N-канальный
Напряжение сток-исток (Vdss): 60 V
Непрерывный ток стока (Id): 200 mA
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 2.7 Ω при VGS = 10 V
Рассеиваемая мощность (Pd): 360 mW (корпус SOT-23)
Пороговое напряжение (VGS(th)): 1.3 V (тип.)
Полный заряд затвора (Qg): 1.5 nC при VGS = 10 V
Входная ёмкость (Ciss): 56 pF
Ёмкость обратной передачи (Crss / Cgd): 4.4 pF
Диапазон рабочих температур: от -55 °C до +150 °C
Корпус: SOT-23-3

Это малосигнальный силовой MOSFET с низким энергопотреблением и небольшой ёмкостью, подходящий для устройств с ограничениями по габаритам и стоимости.

Электрические характеристики и переключение
Пороговое напряжение около 1.3 V означает, что канал начинает открываться при низком напряжении затвора. Указанное значение RDS(on) измерено при VGS = 10 V; при логических уровнях 3.3 V или 5 V сопротивление открытого канала заметно возрастает, поэтому следует учитывать потери проводимости.

Низкий полный заряд затвора Qg (1.5 nC) и небольшая входная ёмкость Ciss (56 pF) способствуют быстрому переключению и снижению затрат энергии на управление. Например, при управлении напряжением 10 V и частоте переключения 100 kHz потери на заряд входной ёмкости составляют примерно E = 0.5 Ciss V^2 ≈ 2.8 nJ/цикл. Фактические потери также зависят от тока управления и КПД драйвера.

Небольшая Crss (4.4 pF) ограничивает эффект ёмкости Миллера, помогая уменьшить обратную связь и помехи во время переключения.

RDS(on) 2.7 Ω указывает на пригодность устройства для малых токов. При приближении к номинальному току 200 mA следует учитывать падение напряжения и рассеяние мощности. Из-за тепловых ограничений корпуса (Pd = 360 mW) при длительной работе с высоким током требуется снижение нагрузки.

Типовые области применения
• Ключи нагрузки и управление питанием: малоточные ключи постоянного тока, нижний ключ драйвера подсветки
• Изоляция сигнальных цепей и питания портативных устройств
• Преобразование уровней и управление логическими сигналами с учётом зависимости RDS(on) от низкого VGS
• Защитные цепи: блокировка обратного тока, низкоскоростной ключ свободного хода
• Маломощные импульсные схемы с учётом ограничений по пиковому току и рассеиваемой мощности

Рекомендации по разводке PCB и теплоотводу
Теплоотвод корпуса SOT-23 ограничен (Pd составляет 360 mW). Для снижения теплового сопротивления между переходом и окружающей средой рекомендуется увеличить площадь медных участков PCB, особенно возле выводов стока и истока.

Проводники следует делать короткими и широкими, чтобы уменьшить сопротивление и паразитную индуктивность и обеспечить стабильное напряжение затвора при переходных процессах.

При длительной работе при высокой температуре окружающей среды или токе, близком к номинальному, следует снизить нагрузку, например ограничить непрерывный ток значением значительно ниже 200 mA, и проверить температуру перехода.

Для быстрого переключения следует использовать подходящий драйвер затвора, сокращающий переходные процессы и время работы в линейном режиме, где растёт рассеиваемая мощность.

Корпус и выводы
Корпус: SOT-23-3, подходит для компактных устройств поверхностного монтажа.
Типовое назначение выводов (сверьте с официальной документацией): вывод 1 — затвор (G), вывод 2 — сток (D), вывод 3 — исток (S).

Выбор и замена
Если рабочий ток и рассеиваемая мощность близки к предельным значениям или превышают их, следует выбрать корпус с меньшим RDS(on) и более высокой Pd, например SOT-223, SOP или DFN, либо включить несколько устройств параллельно.

Для низкого сопротивления при напряжении управления 5 V или 3.3 V следует выбирать MOSFET с низким RDS(on), указанным для низкого VGS.

Для более высокой скорости переключения или снижения потерь можно рассмотреть модели с меньшим Qg и Coss.

BSS7728N H6327 подходит для малоточных маломощных схем коммутации и изоляции, где требуется напряжение пробоя 60 V. При проектировании следует учитывать фактическое RDS(on) при выбранном напряжении затвора, рассеиваемую мощность и теплоотвод на PCB.