Infineon IPD90N06S407ATMA2

IPD90N06S407ATMA2 — MOSFET с N-каналом производства Infineon для силовых приложений средней и высокой мощности. Поверхностный корпус TO-252 / DPAK, низкое сопротивление открытого канала и высокий допустимый ток стока. Применяется в синхронных выпрямителях, преобразователях питания, силовых ключах и приводах двигателей.

Основные электрические параметры

Тип транзистора: MOSFET с N-каналом
Напряжение сток–исток Vdss: 60 V
Непрерывный ток стока Id: 90 A (при температуре корпуса Tc)
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 79 W (при Tc и соответствующем охлаждении корпуса)
Сопротивление открытого канала Rds(on): максимум 6.9 mΩ при Id = 90 A, Vgs = 10 V
Пороговое напряжение Vgs(th): максимум 4 V при Id = 40 µA
Заряд затвора Qg: максимум 56 nC при Vgs = 10 V
Максимальное напряжение затвор–исток Vgs(max): ±20 V
Диапазон рабочей температуры перехода TJ: -55 °C ~ +175 °C
Корпус: TO-252-3 (DPAK), поверхностный монтаж

Характеристики

При напряжении затвора 10 V максимальное значение Rds(on) составляет 6.9 mΩ, что снижает потери проводимости при больших токах.
Номинальный непрерывный ток составляет 90 A при стандартных условиях измерения температуры корпуса.
Компактный корпус TO-252 (DPAK) подходит для автоматизированного поверхностного монтажа и сочетает теплоотвод с небольшой занимаемой площадью.
Диапазон температуры перехода -55 °C ~ +175 °C.

Особенности управления и переключения

Для достижения минимальных потерь проводимости рекомендуется напряжение управления около 10 V. При логическом управлении 5 V следует проверить фактическое Rds(on); для снижения потерь можно использовать специализированный драйвер или повышающий драйвер затвора.
Заряд затвора Qg = 56 nC при 10 V требует достаточного импульсного тока драйвера при быстром переключении. Драйвер с низким выходным сопротивлением и высоким кратковременным током уменьшает задержку и потери.
Высокие Qg и di/dt могут увеличить потери переключения и EMI. В высокочастотных схемах рекомендуется подобрать последовательный резистор затвора, RC-снаббер или демпфирующую цепь и разводку для снижения синфазных и дифференциальных помех.

Тепловой режим и корпус

Номинальные Id и Pd заданы при температуре корпуса Tc. На печатной плате требуется обеспечить теплоотвод площадью меди, тепловой площадкой или радиатором, чтобы поддерживать температуру корпуса в допустимом диапазоне.
Центральную тепловую площадку TO-252 рекомендуется припаять к большой площади меди или теплоотводящему слою. Конструкция контактных площадок и процесс пайки должны обеспечивать эффективный теплоотвод и надёжное соединение.
Для высокомощных режимов рекомендуется проверить температуру тепловизором или измерением температуры перехода и оценить её в реальных условиях работы.

Типичные области применения

Синхронное выпрямление и понижающие DC-DC-преобразователи
Управление двигателями и коммутация тока
Эффективная силовая коммутация и переключение нагрузки
Автомобильная электроника в системах 12 V/48 V с проверкой соответствия автомобильным требованиям
ИБП, модули управления питанием и низкомощные стороны инверторов

Рекомендации по разводке и защите

Для индуктивной нагрузки следует ограничивать выбросы в цепи сток–исток и применять обратный диод, RC-снаббер или TVS для защиты от перенапряжения.
На печатной плате следует уменьшить площадь высокотоковых контуров и оптимизировать их трассировку; силовую индуктивность и входные и выходные конденсаторы рекомендуется размещать как можно ближе для уменьшения выбросов, вызванных паразитной индуктивностью.
Для управления звоном и импульсным током в высокоскоростных схемах можно использовать резистор затвора в диапазоне 5–20 Ω с подбором под требования системы, сохраняя баланс между скоростью переключения и потерями.