Infineon IPD90R1K2C3

IPD90R1K2C3 — высоковольтный N-канальный силовой MOSFET производства Infineon. Напряжение сток–исток Vdss составляет 900V; рекомендованное напряжение управления затвором — 10V. Подходит для автономных импульсных источников питания, коррекции коэффициента мощности (PFC), высоковольтных полумостовых схем и промышленного питания. Корпус TO-252 (DPAK) предназначен для поверхностного монтажа и отвода тепла через печатную плату.

Основные параметры
Количество: 1 N-канальный транзистор
Напряжение сток–исток Vdss: 900 V
Непрерывный ток стока Id: 5.1 A (номинальное значение зависит от теплоотвода и условий окружающей среды)
Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 1.2 Ω @ Vgs=10 V
Рассеиваемая мощность Pd: 83 W (зависит от условий; требуется эффективный теплоотвод)
Пороговое напряжение Vgs(th): 3.5 V @ Id=0.31 mA
Заряд затвора Qg: 28 nC @ Vgs=10 V
Входная ёмкость Ciss: 710 pF
Выходная ёмкость Coss: 35 pF
Рабочий диапазон температур: -55 ℃ ～ +150 ℃
Корпус: TO-252 (DPAK)

Области применения: высоковольтные импульсные ключи, первичные каскады автономных импульсных источников питания, высоковольтные ключи или вспомогательные схемы PFC, промышленные источники питания и схемы управления, силовые каскады с высоким требуемым напряжением и низким средним током.

Фактическая рассеиваемая мощность зависит от возможностей корпуса и печатной платы по отводу тепла. Для охлаждения рекомендуется использовать достаточную толщину и площадь меди, а также тепловые переходные отверстия к слоям платы. Следует удерживать температуру перехода Tj ниже 150 ℃ при высоком токе или коэффициенте заполнения; для снижения потерь проводимости можно использовать параллельное включение или компонент с меньшим RDS(on).

Рекомендуемое напряжение управления затвором — 10 V. Для достижения низкого RDS(on) требуется учитывать пороговое напряжение 3.5 V и характеристики управления. Заряд затвора Qg=28 nC требует драйвера с соответствующей токовой способностью. Скорость переключения зависит от Ciss/Coss и паразитной индуктивности. Рекомендуется сокращать пути затвора и возвратного тока истока, добавлять обходные конденсаторы и применять демпфирующие или снабберные цепи для контроля звона и снижения EMI.

RDS(on)=1.2 Ω может приводить к значительным потерям проводимости I^2·R при высоком токе. При длительной работе с большим током следует оценивать тепловой режим и температурную зависимость RDS(on) и тока стока, предусматривая запас. Для оценки эффективности и требований к драйверу следует учитывать коммутационные потери, связанные с Qg и Coss.