Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Infineon BSC016N06NS
Configuration
1 options
Configuration
Date code within 2 years
Available for RFQ
Технические данные
Описание товара
20
характеристик
Основная информация
- Название товара
- Infineon BSC016N06NS
- Тип
- INFINEON
- Единица
- Электронный компонент
- Минимальная упаковка
- 5000 圆盘
Технические параметры
- Упаковка
- Лента
- Единица измерения
- шт.
- Бренд
- INFINEON
- Модель
- BSC016N06NS
- Шаг
- 1
- Корпус
- TDSON-8FL
- Количество
- 1 N-канальный
- Категория
- Полевой транзистор (MOSFET)
- Вес
- 0.15g
- Минимальный заказ
- 1
- Артикул
- BM0000287682
- Рабочая температура
- 55℃~+150℃
- Рассеиваемая мощность (Pd)
- 139W
- Минимальная упаковочная единица
- Диск
- Минимальное количество в упаковке
- 5000
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- 60V
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
产品概述：BSC016N06NS N沟道MOSFET
一、产品简介
BSC016N06NS是一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。这款MOSFET以其优越的电气特性和高效的散热性能而备受关注，特别适合用于需要高电压和高电流的应用场合。其主要规格涵盖漏源电压（Vdss）为60V，最大连续漏极电流（Id）可达30A，导通电阻低至1.6mΩ，最大功率耗散为2.5W，提供了出色的电流处理能力和效率。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 30A（在25°C环境温度下）
- 栅源极阈值电压: 3.3V @ 95μA
- 漏源导通电阻: 1.6mΩ（在50A电流和10V栅极电压下测得）
- 最大功率耗散: 2.5W（在环境温度为25°C时）
- 封装类型: TDSON-8-EP（5x6mm），采用卷装方式供货
三、应用领域
BSC016N06NS广泛应用于各种高效率的电源管理和转换电路，包括但不限于：
- 开关电源: 其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于DC-DC转换器和AC-DC适配器中。
- 电动汽车: 适用于电池管理系统、充电器及其他功率转换器。
- 工业自动化: 在电机控制、伺服驱动和工业设备中，实现高效的功率调节和开关操作。
- 消费电子产品: 整合至各种电子设备中，如电池供电的设备，提供高效的电源开关解决方案。
四、优势
- 高效率: BSC016N06NS的低导通电阻使其在高电流下能够有效降低能量损耗，提升整体电路的效率。
- 卓越的散热性能: 该产品的封装设计有助于改善散热表现，满足高功率应用的需求，降低元器件故障的风险。
- 宽广的电压范围: 60V的电压耐受能力使其适用于多种电源管理场合，从消费电子到工业设备都可以灵活运用。
- 小型封装: TDSON-8-EP封装小巧，便于在空间有限的电路板上集成，支持高密度设计。
五、结论
BSC016N06NS MOSFET是现代电源管理解决方案中的一颗重要元器件，以其高性能参数与优良的应用适应性，成为很多高效电源设计的理想选择。无论是在电动汽车、电源转换器还是工业自动化设备中，BSC016N06NS都能够为设计者提供了一种稳健而高效的解决方案。选择这款N沟道MOSFET，意味着选择了一种先进和可靠的电子组件，能够加速产品的开发和市场的投入。
Запрос котировки
Отправить RFQ
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
BOM и аналоги
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
Сигнал доступности
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары
Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.
