WMSIC Электронные компоненты

Infineon IPD135N08N3GATMA1

МодельIPD135N08N3GATMA1
КорпусPG-TO252-3
БрендInfineon
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
Infineon IPD135N08N3GATMA1
Тип
PG-TO252-3
Минимальная упаковка
2500 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
INFINEON
Модель
IPD135N08N3GATMA1
Шаг
1
Корпус
PG-TO252-3
Количество
1 N-канальный
Тип
N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.595g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0058411032
Рабочая температура
55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
79W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
2500
Напряжение сток-исток (Vdss)
80V

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

IPD135N08N3GATMA1 — N-канальный MOSFET с индуцированным каналом компании Infineon в корпусе PG-TO252-3 (DPAK). Номинальное напряжение Vdss составляет 80V, непрерывный ток стока — 45A, типовое сопротивление в открытом состоянии RDS(on) — 13.5mΩ при Vgs=10V, рассеиваемая мощность Pd — 79W.

Основные электрические параметры:
Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 3.5V
Заряд затвора Qg: около 25nC при 10V
Входная ёмкость Ciss: около 1.73nF
Ёмкость Crss/Coss: около 469pF
Рабочий температурный диапазон: -55℃~+175℃

При токе 45A расчётные потери проводимости составляют около 27.3W. Для тепловой оценки энергия ёмкости при переключении составляет приблизительно 1.5µJ при Vds=80V; при частоте 100kHz потери заряда и разряда ёмкости составляют около 0.15W. Фактические потери переключения также зависят от перекрытия тока и напряжения.

Рекомендации по тепловому проектированию:
Для корпуса TO-252-3 (PG-TO252-3) предусмотрите большую площадь меди на нижнем слое платы и тепловые переходные отверстия для отвода тепла к теплоотводящему слою. Сократите длину соединений стока, истока и затвора, чтобы уменьшить паразитную индуктивность. Выполните тепловой расчёт потерь проводимости и переключения с запасом по снижению номинальных параметров.

Рекомендации по управлению и применению:
Для достижения указанного RDS(on) используйте напряжение затвора 10V. При управлении логическим уровнем 5V проверьте потери и тепловой запас. При высоком dv/dt или индуктивной нагрузке используйте подходящий резистор затвора для подавления звона; для защиты от импульсов перенапряжения применяйте TVS или RC-цепь поглощения.

Применяется в понижающих DC-DC-преобразователях, синхронных выпрямителях, низкобоковых ключах приводов Brushed/BLDC и схемах общего назначения. При длительной работе с большим током учитывайте температуру перехода, охлаждение корпуса и надёжность тепловых переходных отверстий. При параллельном включении обеспечьте равномерное распределение тока.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.