Infineon BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1 — силовой MOSFET с N-каналом

BSC019N06NSATMA1 — силовой MOSFET с N-каналом в корпусе TDSON-8FL, предназначенный для импульсных источников питания и приводов с низкими потерями проводимости. Низкое сопротивление RDS(on), высокая токовая нагрузка и широкий диапазон рабочих температур подходят для компактных схем с повышенными требованиями к отводу тепла.

Основные характеристики
Тип: силовой MOSFET с N-каналом
Напряжение сток—исток Vdss: 60 V
Непрерывный ток стока Id: 192 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 1.95 mΩ при VGS = 10 V (ID = 50 A)
Пороговое напряжение VGS(th): 3.3 V
Полный заряд затвора Qg: 77 nC
Входная ёмкость Ciss: 5.25 nF при 30 V
Ёмкость обратной передачи Crss: 82 pF при 30 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 136 W
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ – +175 ℃
Корпус: TDSON-8FL

Электрические и коммутационные характеристики
При VGS = 10 V сопротивление открытого канала составляет 1.95 mΩ, что позволяет проводить высокий постоянный или импульсный ток с низкими потерями. Номинальный непрерывный ток 192 A в сочетании с низким RDS(on) способствует повышению эффективности мощных устройств. Значение Qg = 77 nC и высокая Ciss указывают на необходимость драйвера с достаточной мощностью при быстром переключении, иначе увеличиваются коммутационные потери и время переключения.

Управление затвором и переключение
Рекомендуемое напряжение управления затвором: 10 V для получения указанного низкого RDS(on). При логическом уровне управления следует учитывать рост потерь проводимости.
Из-за высокого Qg требуется драйвер затвора с низким выходным сопротивлением и достаточным током. Последовательный резистор затвора помогает согласовать устойчивость к помехам и коммутационные потери.
В высокочастотных схемах следует учитывать эффект Миллера, связанный с Crss, и контролировать dv/dt; при необходимости применяют ограничитель между затвором и стоком или RC-снаббер.

Тепловой режим и корпус
Корпус TDSON-8FL обеспечивает эффективный отвод тепла. Значение Pd = 136 W предполагает достаточный теплоотвод со стороны печатной платы; условия измерения следует сверять с документацией на компонент. Для снижения теплового сопротивления рекомендуется предусмотреть большую площадь меди под корпусом, тепловые переходные отверстия и соединение с нижним теплоотводящим слоем.

Типичные области применения
Синхронные выпрямители и понижающие преобразователи DC-DC
Первичные и вторичные ключи серверного и телекоммуникационного оборудования
Силовые ключи приводов двигателей и входных каскадов инверторов
Ключи нагрузки, схемы горячего подключения и модули управления питанием
Высокоэффективные PFC и выпрямители для больших токов

Особенности проектирования
При параллельном включении учитывайте допуск RDS(on) и распределение тока; для балансировки при необходимости применяйте резисторы в цепях истока или шунты.
Для уменьшения выбросов и колебаний на коммутируемом узле оптимизируйте разводку печатной платы и используйте подходящие демпфирующие резисторы, цепи или компоненты.
Оптимизируйте электромагнитную совместимость (EMC) и тепловой режим, контролируя скорость переключения и паразитную индуктивность, а также обеспечивая эффективный отвод тепла.
Предельные параметры, SOA, импульсные и перегрузочные характеристики, а также тепловое сопротивление корпуса следует проверять по технической документации компонента.

BSC019N06NSATMA1 рассчитан на напряжение 60 V и сочетает низкое RDS(on) с высокой токовой нагрузкой. Управление затвором и тепловой режим печатной платы определяют эффективность его применения в силовых ключах.