Infineon IRF6785MTRPBF

Обзор IRF6785MTRPBF

IRF6785MTRPBF — одиночный силовой N-канальный MOSFET для коммутации средних и высоких напряжений.

Основные параметры:

- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V.
- Непрерывный ток стока (Id): 19A.
- Рассеиваемая мощность (Pd): 57W.
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 85mΩ при Vgs = 10V и токе измерения 4.2A.
- Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3V.
- Заряд затвора (Qg): 26nC при 100V.
- Входная емкость (Ciss): 1.5nF.
- Емкость обратной передачи (Crss): 31pF.
- Корпус: MG-WDSON-5.
- Производитель: Infineon.

При Vgs = 10V достигается указанное значение RDS(on); при более низком напряжении управления сопротивление канала увеличивается. Для переключения требуется драйвер, способный быстро заряжать и разряжать затвор. При высоком dV/dt следует учитывать эффект Миллера.

MG-WDSON-5 — низкопрофильный силовой корпус. Отвод тепла зависит от контактной площадки и медных слоев печатной платы. Для улучшения теплоотвода можно использовать увеличенную площадь меди и тепловые переходные отверстия. Фактическая допустимая мощность зависит от теплового сопротивления, температуры окружающей среды, частоты переключения и скважности.

Типовые применения: импульсные источники питания, включая полумостовые схемы и синхронное выпрямление; входные каскады PFC; инверторы и электроприводы малой и средней мощности; коммутация промышленных электронных нагрузок.

Рекомендации по проектированию:

- Напряжение управления затвором: 10V или 10–12V.
- Резистор затвора: 5–20Ω.
- Сокращайте длину соединений D, S и G, минимизируйте площадь высокоскоростных силовых контуров и размещайте конденсаторы развязки рядом с драйвером.
- Для коммутации при 200V применяйте RC-цепь или снаббер; при необходимости используйте TVS или защиту от перенапряжения.

При выборе режима учитывайте безопасную область работы (SOA), ограничения энергии одиночного импульса, максимальное рабочее напряжение и температуру перехода. Для оценки потерь и теплового режима учитывайте условия конкретной системы.