Infineon IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 1 шт.

Основные параметры: Vdss = 60V; непрерывный ток стока Id = 100A; сопротивление открытого канала RDS(on) = 3.1 mΩ при Vgs = 10V и Id = 100A; рассеиваемая мощность Pd = 167W; пороговое напряжение затвора Vgs(th) ≈ 2.2V; полный заряд затвора Qg = 79nC при 4.5V; входная ёмкость Ciss = 13nF при 30V; диапазон рабочих температур перехода Tj = -55°C ~ +175°C. Корпус TO-252 (DPAK), поверхностный монтаж.

Низкое RDS(on) подходит для силовых цепей с высоким током. Номинальный непрерывный ток составляет 100A. Для эффективного отвода тепла требуется соответствующая площадь меди на PCB.

Типовые применения: синхронное выпрямление, импульсные источники питания и преобразователи DC-DC, приводы двигателей, низковольтные ключи инверторов, автомобильная электроника, бортовые системы управления питанием, инверторы и схемы защиты источников питания.

Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором, близкое к 10V. При Qg = 79nC при 4.5V и Ciss = 13nF следует использовать драйвер затвора с достаточной выходной способностью. Для управления dv/dt и звоном обычно применяют резистор затвора 5–20Ω; при высокочастотной коммутации его выбирают с учётом требований EMC и возможностей драйвера.

Для отвода тепла используйте увеличенную площадь медного покрытия и тепловые переходные отверстия к нижним слоям PCB. При приближении Pd к предельному значению следует предусмотреть радиатор или дополнительную площадь меди. На высоких частотах учитывайте потери при переключении и рост температуры перехода; оцените энергию включения и выключения, а также возможность применения мягкой коммутации или возврата энергии.

При параллельном включении нескольких компонентов согласуйте резисторы затвора и топологию PCB для равномерного распределения тока. Для получения полных спецификаций используйте официальную документацию производителя.