Infineon BSC030N03LSGATMA1

BSC030N03LSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET Infineon с низким сопротивлением и быстрым переключением. Номинальное напряжение сток–исток — 30V. Корпус TDSON-8 отличается компактными размерами и низкой паразитной индуктивностью; компонент предназначен для схем питания и управления мощностью с высокими требованиями к эффективности и плотности монтажа.

Основные параметры:
Напряжение сток–исток Vdss: 30V
Непрерывный ток стока Id: 98A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 3 mΩ @ Vgs=10V, Id=30A
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 2.5W
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.2V
Полный заряд затвора Qg: 55 nC @15V
Входная ёмкость Ciss: 4.3 nF @15V
Ёмкость обратной передачи Crss: 66 pF @15V
Диапазон рабочей температуры перехода: -55℃ ~ +150℃
Корпус: TDSON-8

При Vgs=10V компонент обеспечивает низкое RDS(on). Для снижения потерь рекомендуется драйвер затвора с уровнем 10–12V. Заряд затвора QG=55nC требует от драйвера значительного импульсного тока при быстром переключении. При управлении от 5V сопротивление RDS(on) заметно возрастает.

Корпус TDSON-8 обеспечивает хороший теплоотвод, однако при Pd=2.5W возможности рассеивания на печатной плате ограничены. Для работы с высоким током требуются широкие медные участки, тепловые слои и переходные отверстия. Следует учитывать ограничения температуры перехода и SOA.

Типичные области применения: синхронные понижающие преобразователи, бортовая электроника с шиной 24V, драйверы двигателей, силовые ключи, источники питания серверов и телекоммуникационного оборудования.

При высокочастотном переключении влияние Crss на управление затвором можно учитывать подбором последовательного резистора затвора для контроля колебаний и EMI. При параллельном включении требуется обеспечить равномерное распределение тока и синхронное управление.