Infineon BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LSATMA1 — описание продукта

BSC050NE2LSATMA1 — N-канальный силовой MOSFET компании Infineon для источников питания класса 12 V и высокоскоростных коммутационных приложений. Основные параметры: напряжение сток–исток Vdss = 25V, непрерывный ток стока Id = 49A, сопротивление открытого канала RDS(on) = 5mΩ при Vgs = 10V, рассеиваемая мощность Pd = 28W. Пороговое напряжение затвора Vgs(th) = 2V при 250µA, полный заряд затвора Qg = 10.4nC при Vgs = 10V, входная ёмкость Ciss ≈ 1.011nF, ёмкость обратной передачи Crss ≈ 35pF, выходная ёмкость Coss ≈ 426pF. Диапазон рабочих температур перехода: -55℃…+150℃. Корпус TDSON-8.

Низкое сопротивление открытого канала 5mΩ при 10V снижает потери в проводящем состоянии и подходит для цепей с высоким током. Непрерывный ток стока 49A обеспечивает работу при значительных токовых нагрузках. Умеренный заряд затвора 10.4nC позволяет контролировать потери при переключении. Рабочий температурный диапазон и рассеиваемая мощность 28W подходят для сложных условий эксплуатации и компактных систем охлаждения. Компактный корпус TDSON-8 подходит для плотного монтажа на PCB.

Типичные области применения: синхронное выпрямление и понижающие DC-DC-преобразователи, в особенности с входом 12V и низким выходным напряжением; силовые ключи управления питанием, ключи нагрузки и входные ключи инверторов; приводы двигателей и схемы защиты аккумуляторов с учётом теплового расчёта и проверки SOA; управление силовыми каскадами телекоммуникационного оборудования и бытовой электроники.

Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления 10V. При логическом управлении следует учитывать зависимость RDS(on) от Vgs. Заряд затвора Qg = 10.4nC; энергию управления и требования к драйверу следует оценивать с учётом частоты переключения: потери при переключении приблизительно пропорциональны Qg × Vdrive × fs. Crss = 35pF оказывает ограниченное влияние на эффект Миллера, однако при быстрых фронтах следует учитывать разводку и пути возвратного тока, а также уменьшать паразитную индуктивность для предотвращения выбросов и звона.

Хотя Pd = 28W, тепло от корпуса TDSON-8 следует отводить через медные площадки PCB и переходные отверстия. Для силового слоя рекомендуется предусмотреть большую площадь меди и оптимизировать пути возвратного тока. RDS(on) возрастает при повышении температуры перехода; при длительной работе с высоким током следует предусмотреть запас и оценить температуру перехода. Максимальная температура перехода составляет 150℃; при эксплуатации следует сохранять температурный запас. Пайку и оплавление следует выполнять согласно рекомендованному производителем процессу, исключая чрезмерную температуру и механические нагрузки.

BSC050NE2LSATMA1 подходит для низковольтных силовых ключей с высоким током и синхронного выпрямления в системах 12V. При требованиях к меньшему RDS(on) или Qg можно сравнить другие модели Infineon того же класса напряжения. В конструкции драйвера следует учитывать потери проводимости и переключения, выбирать напряжение управления и частоту переключения, а также предусмотреть теплоотвод и подавление паразитных эффектов на PCB. Для индуктивной нагрузки следует проверить допустимую пиковую нагрузку и энергию одиночного импульса (SOA, avalanche).

BSC050NE2LSATMA1 сочетает низкое RDS(on), высокую допустимую токовую нагрузку и умеренный заряд затвора. Успешная работа в преобразователях питания класса 12V и плотных силовых конструкциях зависит от корректного управления, разводки и отвода тепла.