Infineon BSC100N06LS3G

Обзор BSC100N06LS3G

BSC100N06LS3G — силовой N-канальный MOSFET компании Infineon с напряжением сток–исток 60 V. Корпус TDSON-8 (5×6 mm) сочетает компактные размеры и возможности отвода тепла. Компонент подходит для импульсных источников питания, синхронного выпрямления, силовых каскадов и приводов двигателей.

Электрические параметры

Напряжение сток–исток (Vdss): 60 V
Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 10 mΩ при VGS = 10 V, ID = 50 A
Непрерывный ток стока (Id): 50 A
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Полный заряд затвора (Qg): 20 nC при VGS = 10 V
Входная ёмкость (Ciss): 3.5 nF при 30 V
Ёмкость обратной передачи (Crss): 24 pF при 30 V
Количество и тип: 1 N-канальный MOSFET
Корпус: TDSON-8 (5×6)

Pd = 50 W указывает на мощность рассеяния при идеальных условиях охлаждения. В реальной схеме допустимая мощность зависит от площади медных участков PCB, теплоотводящих слоёв и температуры окружающей среды. Для улучшения теплоотвода можно использовать медные площадки под компонентом и тепловые переходные отверстия.

Qg = 20 nC при 10 V определяет требования к драйверу затвора. Ciss = 3.5 nF и Crss = 24 pF влияют на скорость переключения и электромагнитные помехи (EMI). Последовательный резистор затвора помогает подавить звон и контролировать переходные процессы.

Типовые применения: синхронное выпрямление; преобразователи DC-DC (понижающие и повышающие); низко- и высокобоковые ключи в приводах двигателей; силовые ключи, выходные каскады инверторов и входные цепи защиты.

При проектировании следует минимизировать длину силовых токовых контуров, учитывать паразитную индуктивность и тепловые условия. Для параллельного включения MOSFET необходимо обеспечить равномерное распределение тока. В конечной конструкции тепловые характеристики оценивают при максимальном рабочем токе и ожидаемой температуре окружающей среды.