Infineon BSS214NWH6327

Обзор изделия BSS214NWH6327

N-канальный MOSFET Infineon в корпусе SOT-323 для компактных портативных и потребительских электронных устройств. Номинальное напряжение сток-исток Vdss = 20 V, непрерывный ток стока Id = 1.5 A, рассеиваемая мощность Pd = 500 mW.

Основные электрические параметры:
Тип: N-канальный MOSFET, 1 шт.
Vdss: 20 V
Непрерывный Id: 1.5 A
RDS(on): 250 mΩ при Vgs = 2.5 V
Vgs(th): около 1.2 V при Id = 3.7 µA
Qg: 800 pC при Vgs = 5 V
Входная емкость Ciss: 143 pF
Выходная емкость Coss: 62 pF
Емкость обратной передачи Crss: 6 pF
Рабочая температура: -55 ℃–+150 ℃
Корпус: SOT-323

Компактный корпус подходит для устройств с ограниченным пространством. При управлении напряжением 2.5 V сопротивление RDS(on) составляет 250 mΩ. Низкие значения Ciss и Coss подходят для переключения на средних и низких частотах; Qg 0.8 nC снижает потребность в мощности управления.

Типичные области применения: управление и защита аккумуляторов, переключатели портативного питания, переключение сигналов, входные переключатели приводов низковольтных двигателей и реле, схемы управления энергопотреблением.

Для получения номинального значения RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором около 2.5 V или выше. Проводник затвора следует делать коротким и широким; для подавления звонков и ограничения тока на входе управления можно установить резистор 10–100 Ω. Для индуктивной нагрузки рекомендуется параллельная цепь свободного хода или цепь ограничения выбросов (TVS, RC), чтобы пиковое Vds не превышало 20 V.

Из-за высокого теплового сопротивления корпуса рекомендуется предусмотреть на печатной плате медную область для отвода тепла, заземляющий слой рядом с компонентом и тепловые переходные отверстия. Рассеиваемая мощность 500 mW указана для статических условий и является предельным значением корпуса; допустимый ток зависит от охлаждения платы и температуры окружающей среды. Длительная работа при высокой температуре влияет на RDS(on) и срок службы.