WMSIC Электронные компоненты

Infineon BSS806NH6327

МодельBSS806NH6327
КорпусSOT-23
БрендInfineon
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
Infineon BSS806NH6327
Тип
INFINEON
Минимальная упаковка
3000 个

Технические параметры

Упаковка
Неизвестно
Бренд
INFINEON
Модель
BSS806NH6327
Шаг
1
Корпус
SOT-23
Количество
1 N-канальный
Тип
N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.004g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0259485007
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
500mW
Минимальная упаковочная единица
шт.
Минимальное количество в упаковке
3000
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

BSS806NH6327 — описание продукта

BSS806NH6327 — MOSFET с логическим уровнем управления и N-каналом в корпусе SOT-23, выпускаемый Infineon. Предназначен для маломощной коммутации и управления нагрузкой. При напряжении сток–исток 20V устройство имеет низкое сопротивление открытого канала и небольшой заряд затвора, что подходит для батарейного питания и высокоскоростного переключения.

Основные параметры

Тип: N-канальный MOSFET (SOT-23)
Напряжение сток–исток Vdss: 20 V
Непрерывный ток стока Id: 2.3 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 41 mΩ @ Vgs = 2.5 V
Рассеиваемая мощность Pd: 500 mW
Пороговое напряжение Vgs(th): около 0.75 V
Полный заряд затвора Qg: 1.7 nC @ Vgs = 2.5 V
Входная емкость Ciss: 370 pF; выходная емкость Coss: 118 pF; емкость обратной передачи Crss: 20 pF
Рабочий диапазон температур: -55 ℃ до +150 ℃

Особенности

Низкое RDS(on) (41 mΩ @2.5V) обеспечивает небольшие потери проводимости при логическом уровне 2.5V и позволяет управлять устройством непосредственно от MCU или низковольтного драйвера.
Небольшой заряд затвора (1.7 nC) снижает энергию переключения и затраты на управление, повышая эффективность при высоких частотах. Например, энергия одного заряда и разряда составляет около 0.5 Qg Vgs ≈ 2.1 nJ (Vgs=2.5V); при частоте уровня MHz потери переключения остаются небольшими.
Параметры емкостей Ciss/Coss/Crss обеспечивают управляемую скорость переключения и небольшой эффект Миллера, что способствует быстрому и стабильному переключению.
Широкий диапазон рабочих температур -55~150 ℃ и компактный корпус подходят для портативных и встраиваемых устройств с ограниченным пространством.

Типовые области применения

Нижние и верхние ключи портативных устройств (верхний ключ используется с драйверной схемой), коммутация нагрузки
Управление питанием: синхронный ключ DC-DC-преобразователя, нижний ключ импульсного понижающего преобразователя
Силовая коммутация с логическим управлением от MCU или FPGA
Защита батарей и выбор линии питания
Приводы маломощных двигателей, реле и электромагнитных клапанов (с учетом защиты индуктивной нагрузки)

Рекомендации по применению

Тепловой режим: теплоотвод корпуса SOT-23 ограничен; номинальное Pd = 500 mW (при типовых условиях). Например, при максимальном номинальном токе 2.3 A потери I^2·R ≈ 0.216 W. Учитывайте влияние площади медных областей печатной платы и температуры окружающей среды на температуру перехода. Для улучшения теплоотвода увеличьте площадь меди и обеспечьте тепловой путь к плоскости земли.
Управляющее напряжение: устройство работает при 2.5V. Более высокое Vgs может дополнительно снизить RDS(on); проверьте максимальное допустимое напряжение затвора.
Переходные процессы и паразитные параметры: при работе с индуктивной нагрузкой, например двигателем или катушкой реле, добавьте защитный диод или TVS для подавления выбросов напряжения. Последовательный резистор затвора и демпфирующая цепь позволяют контролировать звон и EMI с учетом Crss и Coss.
Рекомендации по компоновке: сократите проводник между затвором и драйвером. Параллельно затвору установите подходящий демпфирующий или ограничительный резистор, например 10–100 Ω, для контроля скорости фронтов. Разместите развязывающий конденсатор рядом с выводами устройства для снижения коммутационных помех.
Проверка и выбор: измерьте RDS(on), потери переключения и температуру перехода в целевых условиях. Убедитесь, что при максимальной температуре окружающей среды и максимальном коэффициенте заполнения соблюдаются требования SOA.

Корпус и надежность

Корпус: SOT-23, компактный, подходит для автоматизированного поверхностного монтажа.
Рабочий температурный диапазон промышленного класса подходит для изделий с ограничениями по пространству и стоимости, которым требуется надежная коммутация.

BSS806NH6327 — компактный N-канальный MOSFET для логического управления при низком напряжении, с низкими потерями проводимости и низкими затратами на управление. Тепловой режим печатной платы и подавление переходных процессов позволяют использовать его в портативных системах управления питанием и маломощных коммутационных цепях.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.